BiFeO3薄膜的电致阻变效应研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·新型非挥发性随机存储器 | 第10-17页 |
| ·磁电阻随机存储器 | 第10-13页 |
| ·铁电存储器 | 第13-14页 |
| ·相变随机存储器 | 第14-15页 |
| ·阻变随机存储器 | 第15-17页 |
| ·研究意义及研究内容 | 第17-19页 |
| ·研究意义 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 阻变存储器综述 | 第19-31页 |
| ·ReRAM技术回顾 | 第19-20页 |
| ·RRAM工作机制及原理探究 | 第20-26页 |
| ·RRAM基本结构 | 第20-23页 |
| ·阻变存储器的性能参数 | 第23-24页 |
| ·RRAM的阻变行为分类 | 第24-25页 |
| ·阻变机制分类 | 第25-26页 |
| ·各种类型的记忆效应 | 第26-30页 |
| ·电化学金属化记忆效应 | 第27-28页 |
| ·价态变化记忆效应 | 第28页 |
| ·热化学记忆效应 | 第28-29页 |
| ·空间电荷限制电流效应 | 第29页 |
| ·肖特基发射效应 | 第29-30页 |
| ·普尔—法兰克效应 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 实验仪器及测试方法 | 第31-46页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验主要表征仪器 | 第31-36页 |
| ·薄膜制备仪器：脉冲激光沉积系统 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射 | 第32-33页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第33-36页 |
| ·阻变存储器的电性能表征方法 | 第36-44页 |
| ·阻变存储器的电学性能测试系统 | 第36-37页 |
| ·Labview简介 | 第37-41页 |
| ·基于Labview及2400的电性能表征环境 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 BiFeO_3薄膜的阻变效应研究 | 第46-62页 |
| ·BiFeO_3多铁性材料的结构及铁电性 | 第46-47页 |
| ·BFO材料的发展和研究现状 | 第47-49页 |
| ·多铁材料BiFeO_3研究的开始 | 第47-48页 |
| ·BFO材料研究的发展 | 第48-49页 |
| ·薄膜厚度对BiFeO_3性质的影响 | 第49页 |
| ·BiFeO_3薄膜的制备 | 第49-52页 |
| ·溶胶—凝胶沉积法 | 第49-50页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法 | 第50-51页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第51页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第51-52页 |
| ·BiFeO_3的半导体特性 | 第52-53页 |
| ·实验 | 第53-61页 |
| ·样品制备 | 第53-54页 |
| ·样品的晶体结构 | 第54-55页 |
| ·样品的形貌 | 第55-56页 |
| ·样品的电学性能 | 第56-61页 |
| ·机制的探讨 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·工作总结 | 第62页 |
| ·今后工作展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
