| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·国内外发展现状 | 第7-9页 |
| ·论文研究目的和内容 | 第9-11页 |
| 第二章 AlGaInP材料与结构 | 第11-16页 |
| ·AlGaInP材料的特点 | 第11页 |
| ·LED的发光原理 | 第11-12页 |
| ·四元系AlGaInP LED的基本结构 | 第12-16页 |
| 第三章 行星式MOCVD系统的简述 | 第16-22页 |
| ·MOCVD系统的引言 | 第16页 |
| ·输运部分 | 第16-17页 |
| ·MOCVD的反应室 | 第17-18页 |
| ·行星式MOCVD反应室的结构 | 第18-20页 |
| ·MOCVD的金属有机化合物源 | 第20页 |
| ·MOCVD的生长 | 第20-22页 |
| 第四章 气流量分布对AlGaInP红光外延片的研究 | 第22-33页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·砷化物总气流对DBR的影响 | 第22-26页 |
| ·PH3流量的分布对AlInP/GaInP的影响 | 第26-29页 |
| ·PH3流速不同对AlInP/GaInP的影响 | 第29-31页 |
| ·磷化物总气流对多量子阱波长的影响 | 第31-33页 |
| 第五章 外延片均匀性的优化研究 | 第33-44页 |
| ·改变AsH3流量对均匀性的影响的研究 | 第33-37页 |
| ·PH3流量对外延片均匀性的研究 | 第37-42页 |
| ·行星式MOCVD反应室的对外延片的优化 | 第42-44页 |
| 总结 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |