摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
1.1 引言 | 第14-15页 |
1.2 钙钛矿材料 | 第15-17页 |
1.3 PSCs的结构 | 第17-20页 |
1.3.1 透明的导电氧化物薄膜(TCO) | 第18页 |
1.3.2 电子传输层(ETL) | 第18-19页 |
1.3.3 钙钛矿层 | 第19页 |
1.3.4 空穴传输层(HTL) | 第19-20页 |
1.3.5 金属电极 | 第20页 |
1.4 钙钛矿薄膜的制备 | 第20-22页 |
1.5 器件性能的影响因素 | 第22-23页 |
1.5.1 钙钛矿薄膜的形貌 | 第22页 |
1.5.2 电子传输层的形貌 | 第22-23页 |
1.6 PSCs的工作原理 | 第23-24页 |
1.7 PSCs的性能评价 | 第24-25页 |
1.7.1 光电性能 | 第24-25页 |
1.7.2 迟滞效应 | 第25页 |
1.7.3 稳定性 | 第25页 |
1.8 论文选题的目的、意义及研究内容 | 第25-28页 |
第二章 实验涉及主要材料、仪器及表征方法 | 第28-34页 |
2.1 实验所用的主要材料和仪器 | 第28-29页 |
2.2 实验所用的主要表征方法 | 第29-34页 |
2.2.1 形貌表征 | 第29-30页 |
2.2.2 晶体结构表征 | 第30页 |
2.2.3 功函数表征 | 第30页 |
2.2.4 光谱表征 | 第30-31页 |
2.2.5 PSCs的光电性能表征 | 第31-34页 |
第三章 ZnO:I纳米棒薄膜的制备及其光电性能研究 | 第34-54页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 实验内容 | 第35-37页 |
3.2.1 ZnO:I纳米棒薄膜的制备 | 第35-36页 |
3.2.2 基于ZnO:I纳米棒薄膜的PSCs | 第36-37页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第37-51页 |
3.3.1 ZnO:I纳米棒薄膜表征 | 第37-42页 |
3.3.2 ZnO:I纳米棒薄膜的PSCs光电性能研究 | 第42-44页 |
3.3.3 ZnO:I纳米棒薄膜上沉积钙钛矿薄膜表征 | 第44-48页 |
3.3.4 ZnO:I纳米棒薄膜的PSCs的光电化学表征 | 第48-50页 |
3.3.5 稳定性测试 | 第50-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-54页 |
第四章 晶界钝化的钙钛矿薄膜的制备及其光电性能研究 | 第54-70页 |
4.1 引言 | 第54-55页 |
4.2 实验内容 | 第55-57页 |
4.2.1 电子传输层的制备及优化 | 第55页 |
4.2.2 晶界钝化的钙钛矿薄膜的制备 | 第55-56页 |
4.2.3 基于晶界钝化的钙钛矿薄膜的PSCs | 第56-57页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第57-68页 |
4.3.1 HMT对钙钛矿薄膜及其光电性能的影响 | 第57-61页 |
4.3.2 界面优化对钙钛矿薄膜及其光电性能的影响 | 第61-67页 |
4.3.3 稳定性测试 | 第67-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
第五章 结论 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
致谢 | 第78-80页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第80-82页 |
作者与导师简介 | 第82-84页 |
附件 | 第84-85页 |