电化学方法制备InP的微/纳米结构

内容提要	第1-6页
第一章 绪论	第6-17页
·刻蚀技术	第6页
·多孔SI的研究	第6-11页
·多孔SI的分类	第7-8页
·多孔SI的形貌	第8页
·多孔SI的形成机理	第8-9页
·多孔SI的形成模型	第9-10页
·影响多孔SI形成的因素	第10页
·多孔SI的应用	第10-11页
·多孔Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研究现状	第11-16页
·多孔GaAs的研究	第12页
·多孔GaP的研究	第12-13页
·多孔InP的研究	第13-16页
·研究本课题的目的和意义	第16-17页
第二章 电化学刻蚀InP的工艺流程	第17-20页
·半导体InP的性质	第17-18页
·样品的制备及实验设备	第18-20页
·样品的处理	第18-19页
·试验设备	第19-20页
第三章 多孔InP的制备及形成机理	第20-30页
·电化学刻蚀InP的结果分析	第20-28页
·选取1mol/L的NaCl作为电解液	第20-23页
·选取2mol/L的NaCl作为电解液	第23-25页
·选取3mol/L的NaCl作为电解液	第25-28页
·实验结果比较与分析	第28-29页
·多孔InP的形成机理	第29-30页
第四章 晶向孔层的去除	第30-34页
·波浪形孔壁的成因	第30-32页
·晶向孔层去除的实验结果	第32-34页
结论	第34-35页
参考文献	第35-38页
摘要	第38-39页
ABSTRACT	第39-40页
致谢	第40页