| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·论文的主要工作和创新 | 第9页 |
| ·论文的组织安排 | 第9-11页 |
| 第2章 接收机系统指标 | 第11-26页 |
| ·射频接收机主要参数指标 | 第11-20页 |
| ·灵敏度和噪声系数 | 第12-15页 |
| ·交调、阻塞和线性度 | 第15-17页 |
| ·本振信号相位噪声 | 第17-18页 |
| ·动态范围 | 第18-19页 |
| ·其它参数指标 | 第19-20页 |
| ·接收机结构比较 | 第20-24页 |
| ·超外差接收机 | 第20-21页 |
| ·零中频接收机 | 第21-22页 |
| ·低中频接收机 | 第22-23页 |
| ·其它结构 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24页 |
| 本章参考文献 | 第24-26页 |
| 第3章 模块电路研究、分析 | 第26-43页 |
| ·低噪声放大器 | 第26-33页 |
| ·MOSFET模型及噪声 | 第26-28页 |
| ·低噪声放大器的拓扑结构 | 第28-33页 |
| ·混频器 | 第33-41页 |
| ·混频器工作原理 | 第33-34页 |
| ·混频器的拓扑结构 | 第34-41页 |
| ·本章小结 | 第41页 |
| 本章参考文献 | 第41-43页 |
| 第4章 设计实例Ⅰ:采用正反馈和负反馈结构的双模低噪声放大器 | 第43-55页 |
| ·基本结构设计 | 第43-46页 |
| ·电路设计和参数计算 | 第46-50页 |
| ·电路框图 | 第46-47页 |
| ·输入匹配 | 第47页 |
| ·增益 | 第47-48页 |
| ·噪声系数 | 第48-49页 |
| ·线性度 | 第49页 |
| ·频率调节 | 第49-50页 |
| ·硅片验证 | 第50-54页 |
| ·版图设计 | 第50-51页 |
| ·测试结果及分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54页 |
| 本章参考文献 | 第54-55页 |
| 第5章 设计实例Ⅱ:应用于GSM零中频接收机的CMOS射频前端 | 第55-74页 |
| ·GSM简介 | 第55-56页 |
| ·射频前端系统设计 | 第56-60页 |
| ·结构选择 | 第56-58页 |
| ·参数计算与分配 | 第58-60页 |
| ·射频前端电路设计 | 第60-68页 |
| ·低噪声放大器 | 第60-65页 |
| ·混频器 | 第65-68页 |
| ·硅片验证 | 第68-72页 |
| ·版图设计 | 第68页 |
| ·测试结果与分析 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72页 |
| 本章参考文献 | 第72-74页 |
| 第6章 总结 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |