| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·SiGe技术综述 | 第12-18页 |
| ·SiGe材料与器件的简况 | 第12-14页 |
| ·SiGe的性质 | 第14-17页 |
| ·SiGe的发展前景 | 第17-18页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底 | 第18-20页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底的研究意义 | 第18页 |
| ·SiGe弛豫衬底的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要工作和创新点 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 Si基SiGe外延材料的表征与弛豫衬底的制备原理 | 第24-38页 |
| ·Si基SiGe材料的外延 | 第24-26页 |
| ·衬底的清洗 | 第24-25页 |
| ·材料的外延 | 第25-26页 |
| ·材料表征方法 | 第26-34页 |
| ·X射线双晶衍射(DC-XRD) | 第27-28页 |
| ·拉曼散射光谱(Raman) | 第28-30页 |
| ·俄歇电子能谱(AES) | 第30-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| ·化学腐蚀位错(EPD) | 第33-34页 |
| ·SiGe弛豫衬底的氧化制备基本原理 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 SiGe氧化动力学模型 | 第38-52页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·SiGe氧化的物理过程 | 第39-40页 |
| ·SiGe氧化的数学模型 | 第40-45页 |
| ·模型参数 | 第45-46页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 Si基SiGe弛豫衬底制备研究 | 第52-72页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·干法氧化制备Si基Si_(0.7)Ge_(0.3)弛豫缓冲层 | 第52-58页 |
| ·氧化过程中氧化自停止、应力弛豫等关键问题的研究 | 第58-63页 |
| ·SiGe氧化自停止 | 第59-61页 |
| ·SiGe氧化过程中的应变弛豫 | 第61-63页 |
| ·氧化法制备的SiGe弛豫缓冲层的热稳定性研究 | 第63-67页 |
| ·SiGe弛豫衬底进行二次外延 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第五章 SOI基SiGe弛豫衬底制备研究 | 第72-91页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·SiGe/SOI材料制备 | 第72-76页 |
| ·SOI衬底顶层Si减薄 | 第72-74页 |
| ·外延制备SiGe/SOI | 第74-76页 |
| ·SiGeOI弛豫衬底制备 | 第76-86页 |
| ·Si_(0.76)Ge_(0.24)OI的制备 | 第76-79页 |
| ·Si_(0.67)Ge_(0.33)OI的制备 | 第79-81页 |
| ·Si_(0.56)Ge_(0.44)OI的制备 | 第81-83页 |
| ·Si_(0.4)Ge_(0.6)OI的制备 | 第83-86页 |
| ·氧化制备SiGeOI关键问题的分析 | 第86-88页 |
| ·SiGeOI弛豫衬底Si_(0.72)Ge_(0.28)二次外延 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 一、总结 | 第91-92页 |
| 二、展望 | 第92-93页 |
| 硕士期间论文发表、专利申请及获奖情况 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
