| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 文献综述 | 第14-37页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的特性 | 第15-17页 |
| ·小尺寸效应 | 第15页 |
| ·表面效应 | 第15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·量子隧道效应 | 第16页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第16-17页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第17-25页 |
| ·激光烧蚀法 | 第17-18页 |
| ·化学刻蚀法 | 第18-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第20-21页 |
| ·热蒸发法 | 第21-23页 |
| ·物理刻蚀法 | 第23-24页 |
| ·溶剂热法 | 第24-25页 |
| ·硅纳米线的生长机制 | 第25-29页 |
| ·气-液-固生长机制 | 第25-26页 |
| ·微电化学机制 | 第26-29页 |
| ·氧化物辅助生长机制 | 第29页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第29-31页 |
| ·太阳能电池 | 第29-30页 |
| ·纳米线传感器 | 第30页 |
| ·微纳电子器件 | 第30-31页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第31-35页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第31-32页 |
| ·化学腐蚀法 | 第32-33页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第33-34页 |
| ·火花放电腐蚀法 | 第34页 |
| ·水热腐蚀法 | 第34-35页 |
| ·本文的研究内容 | 第35-37页 |
| ·选题目的 | 第35-36页 |
| ·研究内容 | 第36-37页 |
| 第二章 实验内容及测试方法 | 第37-43页 |
| ·实验药品和实验仪器 | 第37-38页 |
| ·样品表征 | 第38-39页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第38页 |
| ·透射电子显微镜、高分辨透射电镜、选区电子衍射 | 第38-39页 |
| ·性能测试 | 第39-43页 |
| ·光致发光光谱 | 第39-40页 |
| ·电学性能测试 | 第40-41页 |
| ·固体表面性能测试 | 第41-43页 |
| 第三章 低掺杂多孔硅纳米线的制备及性能 | 第43-54页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·低掺杂多孔硅纳米线的制备 | 第43-44页 |
| ·原料准备 | 第43-44页 |
| ·制备过程 | 第44页 |
| ·低掺杂多孔硅纳米线的表征 | 第44-48页 |
| ·多孔硅纳米线的表征 | 第44-46页 |
| ·多孔硅纳米线的高分辨表征 | 第46-47页 |
| ·温度和刻蚀液浓度对多孔硅纳米线的影响 | 第47-48页 |
| ·低掺杂多孔硅纳米线形成机理 | 第48-49页 |
| ·N-(111)型无孔硅纳米线的制备 | 第49-50页 |
| ·低掺杂多孔硅纳米线的性能研究 | 第50-52页 |
| ·电学性能 | 第50-51页 |
| ·光致发光性能 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 低掺杂硅纳米线(无孔)及其它硅纳米材料的制备与性能 | 第54-67页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·多孔硅的制备与表征 | 第55-57页 |
| ·原料准备 | 第55页 |
| ·制备过程 | 第55-56页 |
| ·多孔硅的表征 | 第56-57页 |
| ·硅纳米线的制备与表征 | 第57-64页 |
| ·制备过程 | 第57-58页 |
| ·沉积纳米晶的形貌 | 第58-59页 |
| ·硅纳米线的形貌 | 第59-62页 |
| ·硅表面电化学氧化还原反应原理 | 第62-63页 |
| ·硅纳米颗粒的制备 | 第63-64页 |
| ·硅纳米线的性能研究 | 第64-65页 |
| ·光致发光光谱 | 第64-65页 |
| ·硅纳米线表面的超疏水性 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |