| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪言 | 第7-15页 |
| ·III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件发展历程 | 第7-9页 |
| ·GaN 的基本结构和性质 | 第9-12页 |
| ·GaN 基发光二极管的基本结构和性质 | 第12-15页 |
| 2 GaN 多量子阱外延结构的属性研究 | 第15-36页 |
| ·GaN 外延结构的透射电子显微镜分析 | 第15-28页 |
| ·GaN 外延结构的光谱分析 | 第28-32页 |
| ·GaN 外延结构的理论分析 | 第32-36页 |
| 3 GaN 基LED 新型芯片结构设计 | 第36-52页 |
| ·基于光子晶体的新型LED 芯片 | 第36-44页 |
| ·基于微球结构的新型LED 芯片 | 第44-49页 |
| ·基于激光剥离和衬底图形化的新型LED 芯片 | 第49-52页 |
| 4 总结与展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |