摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
·引言 | 第8页 |
·ZnO 压敏电阻器的国内外研究状况 | 第8-11页 |
·国外研究状况 | 第8-10页 |
·国内研究状况 | 第10-11页 |
·本课题方案的确定 | 第11-14页 |
第二章 ZnO 压敏电阻器的基本理论 | 第14-22页 |
·ZnO 的晶体结构和能带结构及缺陷 | 第14-16页 |
·ZnO 压敏电阻器的晶界能带 | 第16-18页 |
·ZnO 压敏电阻器的导电机理 | 第18-20页 |
·ZnO 压敏电阻器的性能参数 | 第20-22页 |
第三章 ZnO 压敏电阻器的失效分析 | 第22-26页 |
·ZnO 压敏电阻器的蜕变 | 第22-24页 |
·ZnO 压敏电阻器的失效类型 | 第24-26页 |
第四章 溶胶—凝胶法制备ZnO 压敏电阻器用粉体 | 第26-40页 |
·溶胶—凝胶法的原理及其优缺点 | 第26-29页 |
·Sol-Gel 法原理 | 第26-27页 |
·Sol-Gel 法优缺点 | 第27-28页 |
·溶胶—凝胶法的分类 | 第28-29页 |
·溶胶—凝胶法制备压敏电阻器的复合纳米添加剂 | 第29-32页 |
·各种方案的阐述及比较 | 第29-30页 |
·方案的选择及具体过程 | 第30-32页 |
·三乙醇胺和乙醇胺的选择 | 第32页 |
·钴、锰元素价态的确定 | 第32-34页 |
·钴元素价态的确定 | 第32-33页 |
·锰元素价态的确定 | 第33-34页 |
·氯离子的引入 | 第34页 |
·凝胶的烘干 | 第34-35页 |
·干凝胶的煅烧 | 第35-36页 |
·复合纳米添加剂的成分检测 | 第36-38页 |
·X 射线荧光谱仪分析 | 第36-37页 |
·正硅酸乙酯的损失 | 第37页 |
·氯离子的影响 | 第37-38页 |
·小结 | 第38-40页 |
第五章 ZnO 压敏电阻器的制备及测试 | 第40-58页 |
·实验主要仪器设备 | 第40页 |
·ZnO 压敏电阻器的制备 | 第40-42页 |
·固相合成法制备ZnO 压敏电阻器 | 第40-41页 |
·溶胶—凝胶法制备ZnO 压敏电阻器 | 第41-42页 |
·压敏元件的烧结工艺 | 第42-45页 |
·元件的形貌表征及其内部元素的分布 | 第45-47页 |
·ZnO 压敏电阻器的性能测试及其讨论 | 第47-52页 |
·元件的小电流测试 | 第47-48页 |
·元件的大电流测试 | 第48-49页 |
·元件的2ms 方波能量耐受能力测试 | 第49-51页 |
·结果与分析 | 第51-52页 |
·烧结温度对ZnO 压敏电阻器电性能的影响 | 第52-55页 |
·烧结温度对压敏电阻器小电流性能的影响 | 第52-54页 |
·烧结温度对压敏电阻器大电流性能的影响 | 第54-55页 |
·电老练对ZnO 压敏电阻器的2ms 方波能量耐受能力的影响 | 第55-56页 |
·小结 | 第56-58页 |
第六章 结论 | 第58-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
研究成果 | 第64-65页 |