| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·GaN 基紫外探测器的应用背景 | 第9-10页 |
| ·GaN 基紫外探测器的研究进展 | 第10-12页 |
| ·课题研究意义 | 第12-13页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 GaN 基 p-i-n 型紫外探测器 | 第14-21页 |
| ·p-i-n 型探测器工作原理 | 第14-16页 |
| ·量子效率与光谱响应 | 第15-16页 |
| ·GaN 基 p-i-n 型日光盲探测器 | 第16-18页 |
| ·GaN 基背照式 p-i-n 结构日光盲探测器 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 GaN 基紫外探测器外延结构的MOCVD 生长 | 第21-31页 |
| ·MOCVD 外延生长 Al_xGa_(1-x)N/GaN 简介 | 第21-23页 |
| ·蓝宝石衬底上直接生长 AlN 模板层的研究 | 第23-28页 |
| ·高温AlN 模板层实验过程 | 第23页 |
| ·测试结果与讨论 | 第23-28页 |
| ·高温 AlN 模板上高 Al 组分 Al_xGa_(1-x)N 材料的生长 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 P 型GaN 的掺杂及欧姆接触研究 | 第31-43页 |
| ·GaN 材料的 p 型掺杂 | 第31-37页 |
| ·GaN 的p 型掺杂概要 | 第31-32页 |
| ·GaN 的p 型掺杂实验过程 | 第32-33页 |
| ·测试结果与讨论 | 第33-37页 |
| ·p-GaN 的欧姆接触 | 第37-42页 |
| ·欧姆比接触电阻的测试方法—圆形传输线模型（C-TLM） | 第37-39页 |
| ·Ni/Au 与p-GaN 欧姆接触特性研究 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 GaN 基背照式 p-i-n 探测器的制作及测试结果 | 第43-49页 |
| ·GaN 基背照式 p-i-n 探测器的制作 | 第43-44页 |
| ·测试结果与讨论 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
