| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-11页 |
| 2 CMOS射频功率放大器概述 | 第11-28页 |
| ·功率放大器分类 | 第11-19页 |
| ·传统的线性功率放大器 | 第11-15页 |
| ·非线性功率放大器 | 第15-19页 |
| ·各种功率放大器性能比较 | 第19页 |
| ·性能参数 | 第19-25页 |
| ·采用CMOS工艺设计功率放大器面临的挑战 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 射频功率放大器设计基础 | 第28-42页 |
| ·晶体管非线性模型 | 第28-29页 |
| ·功率匹配与负载匹配 | 第29-30页 |
| ·功率放大器的负载拉特性 | 第30-32页 |
| ·集中参数的阻抗匹配 | 第32-36页 |
| ·L形匹配 | 第32-34页 |
| ·Pi形匹配 | 第34-35页 |
| ·T形匹配 | 第35-36页 |
| ·S参数 | 第36-38页 |
| ·Smith圆图 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 功率放大器的线性化技术 | 第42-56页 |
| ·电路级的线性化技术 | 第42-46页 |
| ·双重器件 | 第42-43页 |
| ·源极负反馈 | 第43-44页 |
| ·PMOS电容补偿 | 第44-46页 |
| ·系统级线性化技术 | 第46-55页 |
| ·功率回退技术 | 第46-47页 |
| ·包络反馈技术 | 第47-48页 |
| ·前馈 | 第48-50页 |
| ·预失真技术 | 第50-51页 |
| ·包络恢复和消除技术 | 第51-52页 |
| ·采用非线性元件的线性放大(LINC技术) | 第52-53页 |
| ·偏置自适应技术 | 第53-54页 |
| ·Doherty技术 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 2.4GHz-2.5GHz CMOS线性功率放大器设计 | 第56-74页 |
| ·设计指标 | 第56页 |
| ·电路结构选择 | 第56-57页 |
| ·偏置电路 | 第57-60页 |
| ·自偏置 | 第57-59页 |
| ·自适应偏置 | 第59-60页 |
| ·完整的功率放大器的电路结构 | 第60-61页 |
| ·接地策略 | 第61-64页 |
| ·仿真结果 | 第64-70页 |
| ·版图设计 | 第70-73页 |
| ·JAZZ CH25工艺介绍 | 第70-72页 |
| ·版图设计 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 6 结论与展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 附录 A | 第77-79页 |
| 作者简历 | 第79-81页 |
| 学位论文数据集 | 第81页 |