| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-42页 |
| 1 同步辐射角分辨光电子能谱 | 第14-31页 |
| ·基本原理 | 第14-21页 |
| ·多体相互作用下的光电发射 | 第14-16页 |
| ·光电子激发的三步模型(three steps model) | 第16-18页 |
| ·光电子激发的一步模型(one step model) | 第18-19页 |
| ·光电子能谱的线宽 | 第19-21页 |
| ·实验方法 | 第21-26页 |
| ·二维能带色带 | 第22页 |
| ·一般固体的三维能带色散 | 第22-24页 |
| ·费米面成像 | 第24-26页 |
| ·角分辨光电子能谱技术的最新进展 | 第26-31页 |
| ·超高分辨率 | 第26-29页 |
| ·自旋极化的角分辨 | 第29-31页 |
| 2 同步辐射光电子能谱在宽禁带半导体材料研究中的应用 | 第31-39页 |
| ·宽禁带半导体材料的能带结构研究 | 第31-35页 |
| ·宽禁带半导体材料的表面及其与金属的界面研究 | 第35-37页 |
| ·半导体异质结的同步辐射研究 | 第37-39页 |
| 3 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第二章 表面物理实验站的调试 | 第42-56页 |
| ·表面物理光束线和实验站 | 第42-45页 |
| ·光束线的调试 | 第45-51页 |
| ·光束线的分辨率 | 第45-47页 |
| ·光通量和光栅响应曲线 | 第47-49页 |
| ·光子能量标定 | 第49-51页 |
| ·能量分析器的准直和CU的角分辨光电子能谱实验(ARPES) | 第51-54页 |
| ·本章小节 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 宽禁带半导体的角分辨光电子能谱研究 | 第56-72页 |
| ·纤锌矿6H-SIC的电子结构和能带 | 第56-62页 |
| ·简介 | 第56-57页 |
| ·实验过程以及理论计算方法 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| ·六方ZNO的电子结构和能带 | 第62-69页 |
| ·简介 | 第62-63页 |
| ·实验过程以及理论计算方法 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-69页 |
| ·ZnO(000(1|-))面的垂直出射光电子能谱 | 第65-67页 |
| ·ZnO(000(1|-))面的非垂直出射光电子能谱 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第四章 金属和宽禁带半导体的界面研究 | 第72-94页 |
| ·AU/GAN(0001)界面的同步辐射研究 | 第73-82页 |
| ·实验过程 | 第73-74页 |
| ·结果和讨论 | 第74-82页 |
| ·生长模式(growth mode) | 第74-76页 |
| ·初始界面反应和界面电子结构 | 第76-80页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第80-82页 |
| ·MN/ZNO(000(1|-))界面的同步辐射研究 | 第82-90页 |
| ·实验过程 | 第83-84页 |
| ·结果和讨论 | 第84-90页 |
| ·ZnO(000(1|-))表面 | 第84-86页 |
| ·Mn/ZnO(000(1|-))界面研究 | 第86-90页 |
| ·价带和样品功函数 | 第86-87页 |
| ·Mn膜在ZnO(000(1|-))表面的生长模式 | 第87-89页 |
| ·Mn/ZnO(000(1|-))界面费米能级的移动 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 6H-SIC表面重构和表面氧化研究 | 第94-107页 |
| ·简介 | 第94-97页 |
| ·实验过程 | 第97-98页 |
| ·结果与讨论 | 第98-104页 |
| ·清洁表面 | 第98-99页 |
| ·不同条件下的氧化行为 | 第99-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第六章 SIC表面锌的热氧化及ZNO/SIC异质结的形成 | 第107-120页 |
| ·简介 | 第107-108页 |
| ·实验 | 第108页 |
| ·结果和讨论 | 第108-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-120页 |
| 发表论文 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
