超宽带CMOS低噪声放大器设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题背景 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-12页 |
| ·课题回顾 | 第12-18页 |
| 第二章 射频放大器和CMOS 相关理论 | 第18-31页 |
| ·射频放大器设计指标 | 第18-25页 |
| ·S 参数 | 第18-19页 |
| ·噪声系数 | 第19-21页 |
| ·线性度 | 第21-23页 |
| ·稳定性 | 第23-25页 |
| ·射频CMOS 元器件 | 第25-31页 |
| ·电阻 | 第25-26页 |
| ·电容 | 第26-27页 |
| ·电感 | 第27-29页 |
| ·MOSFET 噪声模型 | 第29-31页 |
| 第三章 CMOS 带宽扩展技术的研究 | 第31-42页 |
| ·电阻并联负反馈 | 第31-32页 |
| ·分布式放大器 | 第32-33页 |
| ·并联峰化技术 | 第33-34页 |
| ·栅极电感峰化技术 | 第34-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 宽带CMOS 低噪放技术 | 第42-52页 |
| ·宽带输入匹配结构 | 第42-47页 |
| ·直接电阻匹配结构 | 第42-43页 |
| ·并联电阻负反馈结构 | 第43-45页 |
| ·共栅级结构 | 第45-46页 |
| ·电感源级退化结构 | 第46-47页 |
| ·带通滤波器结构 | 第47页 |
| ·噪声消除技术 | 第47-52页 |
| ·并联反馈结构噪声消除 | 第48-49页 |
| ·共栅结构噪声消除 | 第49-52页 |
| 第五章 超宽带CMOS 低噪放的设计 | 第52-69页 |
| ·输入匹配设计 | 第52-57页 |
| ·噪声消除设计 | 第57-60页 |
| ·LNA 的电路设计 | 第60-63页 |
| ·有源电感的应用 | 第63-69页 |
| ·有源电感的基本结构 | 第64-65页 |
| ·有源电感设计和仿真 | 第65-69页 |
| 第六章 低噪放的最终仿真结果 | 第69-71页 |
| ·实际工艺器件替换仿真 | 第69-70页 |
| ·结果比较 | 第70-71页 |
| 第七章 总结与展望 | 第71-73页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
