| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-12页 |
| ·选题背景及意义 | 第8-11页 |
| ·位置灵敏气体探测器 | 第8-9页 |
| ·GEM 探测器的读出方法 | 第9-11页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第11-12页 |
| 第2章 GEM 探测器的研制和性能测试 | 第12-23页 |
| ·GEM 探测器基本结构和原理 | 第12-13页 |
| ·GEM 探测器制作 | 第13-17页 |
| ·膜的选择 | 第13-14页 |
| ·探测系统的组成 | 第14-17页 |
| ·GEM 探测器性能测试 | 第17-23页 |
| ·用于测量探测器性能的实验系统 | 第17页 |
| ·漏电流测试 | 第17-18页 |
| ·高压电源性能测试 | 第18-19页 |
| ·暗电流、噪声测试 | 第19-20页 |
| ·放大特性测试 | 第20-21页 |
| ·能量分辨特性测试 | 第21-23页 |
| 第3章 FET 开关阵列读出方式 | 第23-36页 |
| ·GEM 探测器现有读出方法简介 | 第23-27页 |
| ·采用读出条（Strips）或者电极盘阵列（Pads Array）阵列读出 | 第23-24页 |
| ·采用薄膜场效应管（TFT）控制的Pads 阵列读出 | 第24-25页 |
| ·CMOS 读出方式 | 第25-26页 |
| ·CCD 读出方式 | 第26页 |
| ·现有的读出方式比较分析 | 第26-27页 |
| ·FET 阵列读出方法简介 | 第27-29页 |
| ·基于FET 阵列读出方式的GEM 探测器成像系统性能指标与设计要求 | 第29-31页 |
| ·系统的设计指标 | 第29页 |
| ·后继电路的设计 | 第29-30页 |
| ·FET 阵列的设计要求 | 第30-31页 |
| ·放电时间对FET 阵列的要求 | 第30页 |
| ·测量范围对FET 阵列的要求 | 第30页 |
| ·FET 阵列的参数选择 | 第30-31页 |
| ·FET 阵列读出方法电子学测试 | 第31-34页 |
| ·J175 导通电阻R_(on) 与截止电阻R_(off) | 第31-32页 |
| ·测量范围及积分非线性 | 第32-33页 |
| ·灵敏度 | 第33页 |
| ·积分电容与系统噪声的关系 | 第33-34页 |
| ·连接到探测器上的读出 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 基于 FET 阵列读出方式的 GEM 探测器成像系统 | 第36-49页 |
| ·基于FET 阵列读出方式的GEM 探测器成像系统组成 | 第36-40页 |
| ·成像实验 | 第40-49页 |
| ·4×4 阵列的成像实验 | 第40-41页 |
| ·16×16 阵列的成像实验 | 第41-49页 |
| ·读出阵列不一致性的修正 | 第42-44页 |
| ·系统的空间分辨率与反差灵敏度分析 | 第44-47页 |
| ·系统输出与X 光机工作电流的关系 | 第47-49页 |
| 第5章 总结 | 第49-51页 |
| ·对目前工作的总结 | 第49-50页 |
| ·对后继工作的设想 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附录 A 结型场效应管模拟开关 | 第54-61页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文和研究成果 | 第61页 |
