高精度电压调整二极管的研制

摘要	第1-12页
ABSTRACT	第12-13页
目录	第13-15页
第一章 基本理论	第15-22页
·pn结理论	第15-18页
·pn结的击穿	第18-22页
第二章 台面硅电压调整二极管常用的几种制造方法	第22-29页
·扩散法	第22-23页
·合金法	第23-27页
·合金pn结的制作原理	第23-24页
·合金pn结的结深	第24页
·合金条件的考虑	第24-27页
·外延法	第27-29页
第三章 硅气相外延基本生长技术的研究	第29-33页
·硅化学气相外延技术	第29页
·不同外延方法的分析与比较	第29-33页
·四氯化硅氢还原法外延	第29-31页
·硅烷热分解法	第31-32页
·选择外延	第32-33页
第四章 高精度电压调整二极管的设计考虑	第33-39页
·制作方法考虑	第33页
·外延法制作电压调整二极管	第33-34页
·外延生长系统的改进措施	第34-36页
·半导体材料的选择	第36页
·外延层参数的确定	第36页
·外延层厚度	第36页
·外延层电阻率	第36页
·多层结构外延工艺	第36-37页
·温度系数的测试	第37-39页
·目的	第37页
·操作	第37页
·温度系数测试方法及其计算	第37页
·温度系数对比测试	第37-39页
第五章 微缺陷成因及重金属杂质的影响	第39-45页
·微缺陷种类及其成因	第39-43页
·表面缺陷的分析	第39-41页
·内部晶格缺陷的分析	第41-43页
·重金属杂质的危害	第43-44页
·减少微缺陷及重金属沾污的措施	第44-45页
第六章 结束语	第45-46页
参考文献	第46-47页
致谢	第47-48页
附1	第48-49页
附2	第49页