| 目录 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4页 |
| 关键词 | 第4-5页 |
| 第一章 前言 | 第5-13页 |
| 1．1 引言 | 第5页 |
| 1．2 SiCl_4/H_2外延生长单晶硅反应实验研究状况 | 第5-7页 |
| 1．3 SiCl_4/H_2外延生长单晶硅反应理论研究状况 | 第7-9页 |
| 1．4 本论文工作 | 第9-10页 |
| 参考文献 | 第10-13页 |
| 第二章 理论基础 | 第13-27页 |
| 2．1 分子轨道理论 | 第13-16页 |
| 1． 闭壳层组态的Hartree-Fock-Roothaan(HFR)方程 | 第13-15页 |
| 2． 开壳层组态的HFR方程 | 第15-16页 |
| 2．2 密度泛函理论 | 第16-18页 |
| 2．3 振动频率的计算 | 第18-19页 |
| 1． 谐振频率的计算 | 第18-19页 |
| 2． 零点振动能 | 第19页 |
| 2．4 化学反应过渡态的计算方法 | 第19-24页 |
| 1． 化学反应过渡态的数学模型 | 第20-21页 |
| 2． 过渡态的计算方法 | 第21-22页 |
| 3． 反应速率常数理论 | 第22-24页 |
| 2．5 基组的选择 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 SiCl_4/H_2气相反应机理的理论研究 | 第27-41页 |
| 3．1 计算方法 | 第27-28页 |
| 3．2 结果与讨论 | 第28-38页 |
| 1． SiCl_4/H_2气相初始反应微观反应机理分析 | 第28-32页 |
| 2． SiHCl_3和H_2气相反应微观反应机理分析 | 第32-35页 |
| 3． SiCl_2和H_2气相反应微观反应机理分析 | 第35-38页 |
| 3．3 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 SiCl_4/H_2在硅衬底表面上反应机理的理论研究 | 第41-59页 |
| 4．1 计算方法 | 第41-42页 |
| 4．2 结果与讨论 | 第42-57页 |
| 4．2．1 Si_2原子簇模型 | 第42-47页 |
| 1． 反应机理分析 | 第42-46页 |
| 2． 反应速率常数的计算 | 第46-47页 |
| 4．2．2 Si_4原子簇模型 | 第47-53页 |
| 1． 反应机理分析 | 第47-52页 |
| 2． 反应速率常数的计算 | 第52-53页 |
| 4．2．3 Si_9H_12原子簇模型 | 第53-57页 |
| 1． 反应机理分析 | 第53-56页 |
| 2． 反应速率常数的计算 | 第56-57页 |
| 4．3 结论 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-62页 |
| 英文摘要 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 学位论文独创性声明 | 第64页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第64页 |
