| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·串扰(Crosstalk) | 第13-22页 |
| ·水平串扰(Horizontal crosstalk) | 第14-19页 |
| ·垂直串扰(Vertical crosstalk) | 第19-22页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 TFT-LCD基本结构、原理及制作工艺 | 第24-46页 |
| ·TFT-LCD基本结构及组成 | 第24-34页 |
| ·TFT-LCD显示原理 | 第34-35页 |
| ·TFT结构及特性 | 第35-37页 |
| ·TFT的结构 | 第35-36页 |
| ·TFT的特性及原理 | 第36-37页 |
| ·TFT-LCD驱动方式 | 第37-40页 |
| ·有源驱动(Active Matrix,AM) | 第38-39页 |
| ·无源驱动(Passive Matrix,PM) | 第39-40页 |
| ·TFT-LCD主要性能参数 | 第40-44页 |
| ·分辨率(Resolution) | 第40-41页 |
| ·像素间距(Pixel Pitch) | 第41页 |
| ·灰度和色数 | 第41页 |
| ·亮度(Luminance)和对比度(Contrast) | 第41-42页 |
| ·响应时间(Response Time) | 第42页 |
| ·可视角度(Viewing Angle) | 第42-43页 |
| ·透过率(Transmission) | 第43页 |
| ·开口率(Aperture Ratio) | 第43-44页 |
| ·TFT-LCD制作工艺 | 第44-46页 |
| 第三章 氮化硅沉积条件的研究 | 第46-66页 |
| ·实验材料及清洗 | 第46-47页 |
| ·PECVD设备介绍 | 第47-51页 |
| ·利用PECVD制备各层薄膜的反应机理 | 第51-54页 |
| ·a-Si：H薄膜的成膜机理 | 第51-53页 |
| ·SiN_x薄膜的成膜机理 | 第53-54页 |
| ·n~+a-Si：H薄膜的成膜机理 | 第54页 |
| ·PECVD制备SiN_x薄膜的操作过程 | 第54-55页 |
| ·氮化硅薄膜制备 | 第55-56页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第56-57页 |
| ·超精密光学薄膜厚度测试仪(KMAC) | 第56-57页 |
| ·结论及分析 | 第57-66页 |
| ·温度对氮化硅薄膜的影响 | 第57-59页 |
| ·射频功率对氮化硅薄膜的影响 | 第59-61页 |
| ·压力对氮化硅薄膜的影响 | 第61-63页 |
| ·SiH_4/NH_3对氮化硅薄膜的影响 | 第63-66页 |
| 第四章 PVX钝化层对TFT特性的影响 | 第66-80页 |
| ·TFT-LCD中Array基板的制造工艺 | 第66-76页 |
| ·Sputter工艺 | 第66-69页 |
| ·光刻工艺 | 第69-73页 |
| ·刻蚀工艺 | 第73-76页 |
| ·表征 | 第76页 |
| ·结论及分析 | 第76-80页 |
| 第五章 像素结构设计对垂直串扰改善的研究 | 第80-94页 |
| ·TFT-LCD的制作 | 第80-86页 |
| ·CF工艺 | 第80-82页 |
| ·Cell工艺 | 第82-86页 |
| ·Module工艺 | 第86页 |
| ·实验模拟 | 第86-91页 |
| ·垂直串扰模拟 | 第86-89页 |
| ·漏光情况模拟 | 第89-91页 |
| ·结论及分析 | 第91-94页 |
| 第六章 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |
| 作者简历 | 第98-102页 |
| 学位论文数据集 | 第102页 |
