V波段低噪声放大器的设计
| 1 绪论 | 第1-14页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·低噪声放大器的发展概况 | 第8-11页 |
| ·研究内容 | 第11-14页 |
| 2 总体方案设计 | 第14-21页 |
| ·低噪声放大器的方案选择及比较 | 第14-17页 |
| ·采用IMPATT二极管设计低噪声放大器 | 第15页 |
| ·采用Gunn二极管设计低噪声放大器 | 第15页 |
| ·采用隧道二极管设计低噪声放大器 | 第15页 |
| ·采用FET或HEMT设计负阻型低噪声放大器 | 第15-16页 |
| ·采用场效应晶体管来设计低噪声放大器 | 第16页 |
| ·采用HEMT管芯来设计混合型低噪声放大器 | 第16-17页 |
| ·采用HEMT MMIC设计低噪声放大器 | 第17页 |
| ·采用超导技术研制低噪声放大器 | 第17页 |
| ·总体方案 | 第17-18页 |
| ·技术措施 | 第18-21页 |
| ·CAD技术 | 第19-20页 |
| ·混合-单片组合技术 | 第20-21页 |
| 3 低噪声放大器的设计 | 第21-59页 |
| ·低噪声放大器原理 | 第21-27页 |
| ·噪声系数 | 第21-23页 |
| ·功率增益、相关增益与增益平坦度 | 第23-25页 |
| ·工作频带 | 第25页 |
| ·端口驻波比 | 第25页 |
| ·稳定性 | 第25-27页 |
| ·低噪声放大器器件与介质基片选择 | 第27-39页 |
| ·毫米波HEMT器件模型 | 第27-32页 |
| ·器件选择和参数性能指标 | 第32-38页 |
| ·介质基片的选择 | 第38-39页 |
| ·低噪声放大器电路设计 | 第39-58页 |
| ·稳定性分析 | 第39-41页 |
| ·前两级匹配网络设计 | 第41-51页 |
| ·偏置网络设计 | 第51-53页 |
| ·低噪声放大器整体电路设计 | 第53-55页 |
| ·低噪声放大器版图 | 第55-56页 |
| ·整体电路的容差分析 | 第56页 |
| ·噪声系数与增益测量方法 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 4 微带-波导过渡器设计 | 第59-63页 |
| ·微带-波导过渡器设计 | 第59-62页 |
| ·微带-波导过渡器测量方法 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
