CdZnTe晶体的加工与表面质量控制
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| ·半导体材料概述 | 第8-9页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 | 第9-11页 |
| ·碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)晶体 | 第11-17页 |
| ·碲锌镉晶体的晶格结构及特性 | 第11-12页 |
| ·碲锌镉晶体的物理特性和用途 | 第12-17页 |
| ·CZT晶体的加工特性 | 第17-18页 |
| ·CZT晶片的研磨 | 第18-19页 |
| ·CZT晶片的抛光 | 第19-24页 |
| ·CZT晶片表面质量对器件性能的影响 | 第24-25页 |
| 本章参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 CZT晶片的表面质量表征 | 第27-34页 |
| ·表面平整度TTV及其测量 | 第27-28页 |
| ·表面粗糙度参数及其测量 | 第28-30页 |
| ·表面粗糙度的纵向评定参数 | 第28-29页 |
| ·表面粗糙度横向评定参数 | 第29页 |
| ·表面粗糙度形状评定参数 | 第29页 |
| ·表面粗糙度的综合评定参数--功率谱密度函数 | 第29-30页 |
| ·表面粗糙度的测量 | 第30页 |
| ·表面应力状态 | 第30-31页 |
| ·亚表面损伤层厚度 | 第31-32页 |
| ·表面结晶完整性 | 第32页 |
| ·表面的化学成分 | 第32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 本章参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 CZT晶体的定向与切割 | 第34-39页 |
| ·CZT晶体的定向 | 第34-35页 |
| ·CZT晶体的切割 | 第35-36页 |
| ·实验及其结果 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 本章参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 CZT晶片的研磨 | 第39-46页 |
| ·研究、实验条件 | 第39-40页 |
| ·研磨设备 | 第39页 |
| ·磨料的选择 | 第39页 |
| ·冷却剂 | 第39页 |
| ·倒角 | 第39-40页 |
| ·研磨实验及其结果 | 第40-43页 |
| ·第一组实验 | 第41-42页 |
| ·第二组实验 | 第42页 |
| ·第三组实验 | 第42-43页 |
| ·研磨实验分析 | 第43-45页 |
| ·研磨压力的影响 | 第43-44页 |
| ·研磨速率的影响 | 第44页 |
| ·压力与转速的综合作用 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| 本章参考文献 | 第45-46页 |
| 第五章 CZT晶片的抛光 | 第46-59页 |
| ·抛光模型及机理 | 第46页 |
| ·抛光设备 | 第46-47页 |
| ·抛光垫的选择 | 第47-48页 |
| ·抛光液的调配 | 第48页 |
| ·CdZnTe的抛光 | 第48-55页 |
| ·机械抛光 | 第48-52页 |
| ·化学机械抛光 | 第52-55页 |
| ·讨论 | 第55-57页 |
| ·抛光液的改进 | 第55-56页 |
| ·抛光压力 | 第56页 |
| ·腐蚀液的浓度 | 第56页 |
| ·磨料的选择制备 | 第56-57页 |
| ·抛光液的粘度 | 第57页 |
| ·对化学机械抛光机理的分析 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-59页 |
| 主要结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
