| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 主要符号对照表 | 第11-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-37页 |
| 1．1 课题的目的和意义 | 第13-15页 |
| 1．2 光信息存储技术及存储材料的研究概况 | 第15-18页 |
| 1．2．1 光信息存储技术的研究概况 | 第15-17页 |
| 1．2．2 光存储材料的研究概况 | 第17-18页 |
| 1．3 新型高密度光信息存储技术 | 第18-25页 |
| 1．3．1 多波长、多阶光存储 | 第18-20页 |
| 1．3．2 全息光存储 | 第20-22页 |
| 1．3．3 近场光存储 | 第22-23页 |
| 1．3．4 双光子三维光存储 | 第23-24页 |
| 1．3．5 光致变色化合物和光子型存储 | 第24-25页 |
| 1．4 二芳基乙烯光致变色化合物 | 第25-36页 |
| 1．4．1 热稳定性 | 第26-27页 |
| 1．4．2 抗疲劳性 | 第27-28页 |
| 1．4．3 吸收光谱和量子产率 | 第28-32页 |
| 1．4．4 二芳基乙烯化合物的应用研究 | 第32-36页 |
| 1．4．4．1 分子开光 | 第32页 |
| 1．4．4．2 光信息存储 | 第32-33页 |
| 1．4．4．3 无损读出 | 第33-36页 |
| 1．5． 本博士学位论文的主要内容 | 第36-37页 |
| 第二章 新型二芳烯分子的设计合成及性质研究 | 第37-84页 |
| 2．1 试剂和仪器 | 第38-39页 |
| 2．1．1 主要化学药品 | 第38-39页 |
| 2．1．2 仪器 | 第39页 |
| 2．2 二芳基乙烯化合物的合成 | 第39-52页 |
| 2．2．1 第一类对称二芳基乙烯分子的合成 | 第39-42页 |
| 2．2．2 第二类对称二芳基乙烯分子的合成 | 第42-46页 |
| 2．2．3 第三类对称二芳基乙烯分子的合成 | 第46-48页 |
| 2．2．4 不对称二芳基乙烯分子的合成 | 第48-50页 |
| 2．2．5 合成方法的总结与讨论 | 第50-52页 |
| 2．3 性质研究 | 第52-82页 |
| 2．3．1 二芳基乙烯的光致变色特性 | 第52-63页 |
| 2．3．1．1 溶液中的光致变色 | 第53-54页 |
| 2．3．1．2 PMMA非晶态薄膜中的光致变色 | 第54-57页 |
| 2．3．1．3 二芳基乙烯晶体及其光致变色 | 第57-63页 |
| 2．3．2 溶剂效应 | 第63-64页 |
| 2．3．3 二芳基乙烯光致变色反应的动力学研究 | 第64-71页 |
| 2．3．4 二芳基乙烯的抗疲劳性 | 第71-73页 |
| 2．3．5 二芳基乙烯的热稳定性 | 第73-74页 |
| 2．3．6 二芳基乙烯的量子产率 | 第74-76页 |
| 2．3．7 二芳基乙烯的折射率调制度 | 第76-79页 |
| 2．3．8 双光子荧光 | 第79-82页 |
| 2．4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第三章 二芳烯在高密度光信息存储中的应用研究 | 第84-136页 |
| 3．1 制膜工艺 | 第84-88页 |
| 3．1．1 制膜方法、膜片结构及用途 | 第84-86页 |
| 3．1．1．1 旋涂法（Spin-coating） | 第84-85页 |
| 3．1．1．2 真空蒸镀法 | 第85页 |
| 3．1．1．3 凝胶压片法 | 第85-86页 |
| 3．1．1．4 膜片结构及用途 | 第86页 |
| 3．1．2 膜片表面的形貌分析 | 第86-88页 |
| 3．2 二芳基乙烯在多波长多阶光存储中的应用 | 第88-123页 |
| 3．2．1 实验方法及原理 | 第88-90页 |
| 3．2．2 记录点的形貌 | 第90-91页 |
| 3．2．3 PMMA非晶态膜片中的单波长存储 | 第91-98页 |
| 3．2．3．1532 nm激光 | 第91-94页 |
| 3．2．3．2650 nm激光 | 第94-95页 |
| 3．2．3．3780 nm激光 | 第95-98页 |
| 3．2．4 PMMA非晶态膜片中的双波长存储 | 第98-110页 |
| 3．2．5 PMMA非晶态膜片中的三波长存储 | 第110-114页 |
| 3．2．6 PMMA非晶态膜片中的八阶存储 | 第114-118页 |
| 3．2．7 光盘上的多波长多阶存储 | 第118-123页 |
| 3．3 二芳基乙烯在全息光存储中的应用 | 第123-131页 |
| 3．3．1 实验方法及原理 | 第123-124页 |
| 3．3．2 全息图像的初步存储实验 | 第124-126页 |
| 3．3．3 多重全息存储实验 | 第126-129页 |
| 3．3．4 可擦重写全息存储 | 第129-131页 |
| 3．4 二芳基乙烯在近场光存储中的初步应用 | 第131-134页 |
| 3．4．1 实验方法及原理 | 第131-133页 |
| 3．4．2 结果讨论 | 第133-134页 |
| 3．5 本章小结 | 第134-136页 |
| 第四章 二芳烯的读写特性和无损读出研究 | 第136-159页 |
| 4．1 二芳基乙烯的读写特性 | 第136-148页 |
| 4．1．1 记录时间的定义和计算 | 第137-138页 |
| 4．1．2 记录时间的影响因素 | 第138-141页 |
| 4．1．3 记录激光波长对读写过程的影响 | 第141-145页 |
| 4．1．4 理论推导及结果分析 | 第145-148页 |
| 4．2 无损读出 | 第148-158页 |
| 4．2．1 方法的提出 | 第148-149页 |
| 4．2．2 实验验证 | 第149-158页 |
| 4．3 本章小结 | 第158-159页 |
| 结论 | 第159-161页 |
| 参考文献 | 第161-169页 |
| 致谢 | 第169-170页 |
| 附录二芳烯的分子结构式及其UV-Vis光谱图 | 第170-174页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第174-175页 |