| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·杂质偏析金属材料晶界的研究意义及现状 | 第9-10页 |
| ·第一性原理的发展及应用 | 第10-11页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第11-13页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第13-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第13-17页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第13-14页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第14-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第15-16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-17页 |
| ·交换相关能泛函 | 第17-18页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA) | 第17页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第17-18页 |
| ·Hellmann-Feynman 定理 | 第18页 |
| ·VASP 软件包 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第3章 Si 偏析 AlΣ5 晶界的第一性原理拉伸实验 | 第21-47页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·晶界模型与计算方法 | 第22-25页 |
| ·面心立方结构 Al 的晶格常数 | 第22页 |
| ·晶界模型 | 第22-23页 |
| ·计算方法 | 第23-25页 |
| ·杂质原子 Si 的结合能 | 第25页 |
| ·计算结果与讨论 | 第25-45页 |
| ·Si 偏析 Al 晶界的占位倾向 | 第25-26页 |
| ·体系的总能量和理论拉伸强度 | 第26-32页 |
| ·原子构型和键长 | 第32-38页 |
| ·电荷密度 | 第38-43页 |
| ·态密度 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 作者简介 | 第54页 |
