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脉冲偏压电弧离子镀低温沉积研究

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-11页
第一章 绪论第11-31页
 1.1 引言第11-12页
 1.2 电弧离子镀第12-19页
 1.3 电弧离子镀存在的问题与解决现状第19-23页
 1.4 论文工作的内容与意义第23-25页
 本章参考文献第25-31页
第二章 实验设备与实验方法第31-41页
 2.1 实验设备简介第31-34页
 2.2 试验方法第34-40页
  2.2.1 基体温度测量第34-35页
  2.2.2 薄膜试样的制备第35-37页
  2.2.3 薄膜性能测试方法第37-38页
  2.2.4 偏压及偏流波形测试第38页
  2.2.5 电弧离子镀等离子体诊断第38-40页
 本章参考文献第40-41页
第三章 偏压与基体温度及薄膜性能第41-75页
 3.1 基体温度测试结果第41-49页
  3.1.1 在AIP-1型机上镀TiN时的温度测试结果第41-46页
   3.1.1.1 直流偏压下的温度测试结果第41-44页
   3.1.1.2 脉冲偏压下测温结果第44-46页
  3.1.2 在Bulat6机上沉积TiN时的测温结果第46-49页
   3.1.2.1 直流偏压下的测温结果第46-47页
   3.1.2.2 脉冲偏压下的测温结果第47-49页
  3.1.3 测温小结第49页
 3.2 TiN薄膜的性能测试与结果分析第49-66页
  3.2.1 不同偏压下的沉积速率第49-50页
  3.2.2 薄膜表面形貌分析第50-55页
  3.2.3 偏压对TiN薄膜择优取向的影响第55-59页
  3.2.4 透射电子显微(TEM)分析第59-62页
  3.2.5 偏压对TiN薄膜硬度的影响第62-63页
  3.2.6 偏压对TiN薄膜与基体结合力的影响第63-65页
  3.2.7 偏压对TiN薄膜摩擦系数的影响第65-66页
 3.3 讨论——离子的轰击效应第66-72页
  3.3.1 微区的温度第66-70页
   3.3.1.1 将微区考虑为绝热球体第66-68页
   3.3.1.2 将微区考虑为满足经典热传导时的计算第68-70页
  3.3.2 级联体微区中的应力第70-72页
 3.4 本章小结第72-73页
 本章参考文献第73-75页
第四章 电弧离子镀的几点基础问题第75-89页
 4.1 电弧离子镀的等离子体诊断第75-79页
 4.2 基体电压、电流波形与等离子体负载特性第79-81页
 4.3 关于偏压对表面形貌影响的探讨第81-86页
 4.4 本章小结第86-87页
 本章参考文献第87-89页
第五章 基体温度计算与预测第89-119页
 5.1 影响电弧离子镀基体沉积温度的主要因素第89-100页
  5.1.1 使基体温度升高的因素第90-98页
   5.1.1.1 离子轰击第90-94页
   5.1.1.2 电弧辐射第94-97页
   5.1.1.3 化学反应热第97页
   5.1.1.4 气相沉积凝华能第97-98页
  5.1.2 使基体温度降低的因素第98-100页
   5.1.2.1 基体向周围的辐射散热第98-99页
   5.1.2.2 传导引起的散热第99页
   5.1.2.3 由对流引起的散热第99页
   5.1.2.4 反溅射粒子带走的能量第99-100页
 5.2 基体温度计算第100-116页
  5.2.1 计算模型的建立及其求解第100-103页
  5.2.2 直流偏压情况下基体温度计算及分析第103-114页
   5.2.2.1 直流偏压对基体温度的影响第104-106页
   5.2.2.2 基体厚度对温度的影响第106-107页
   5.2.2.3 基体材料物理性能对温度变化的影响第107-111页
   5.2.2.4 基体轴的导热系数k对温度的影响第111-112页
   5.2.2.5 面积因子ξ对基体温度的影响第112-113页
   5.2.2.6 表面辐射系数ε对基体温度的影响第113-114页
  5.2.3 脉冲偏压下基体的温度变化第114-116页
 5.3 本章小结第116-117页
 本章参考文献第117-119页
第六章 结论第119-121页
展望第121-122页
创新点摘要第122-123页
博士期间发表的文章第123-125页
致谢第125-126页

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