| 1 绪论 | 第1-9页 |
| 1．1 引言 | 第6页 |
| 1．2 国内外研究 | 第6-7页 |
| 1．3 本课题的引出 | 第7-9页 |
| 2 射频等离子体 | 第9-31页 |
| 2．1 射频耦合 | 第9-12页 |
| 2．2 射频容性耦合 | 第12-24页 |
| 2．3 射频感性耦合 | 第24-31页 |
| 3 实验设备与方法 | 第31-34页 |
| 3．1 实验设备 | 第31-32页 |
| 3．2 实验方法 | 第32-34页 |
| 4 实验结果与分析 | 第34-59页 |
| 4．1 调谐基片偏压的跳变回滞现象 | 第34-35页 |
| 4．2 调谐基片偏压与射频功率和放电气压的关系 | 第35-39页 |
| 4．3 基片偏压与气体流量的关系 | 第39-41页 |
| 4．4 基片偏压与外电路的关系 | 第41-45页 |
| 4．5 射频容性耦合分支控制对基片偏压的影响 | 第45-49页 |
| 4．6 不同放电气体的影响 | 第49-50页 |
| 4．7 基片预置直流偏压的作用 | 第50-52页 |
| 4．8 跳变前后等离子体射频电位的分布 | 第52-57页 |
| 4．9 上盖板连接状态对基片偏压的影响 | 第57-59页 |
| 5 论文总结 | 第59-62页 |
| 5．1 论文总结 | 第59-60页 |
| 5．2 对今后研究工作的建议 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |