硅基薄膜中金属颗粒对发光特性的影响
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 概述 | 第7-13页 |
| 1．1 硅基发光材料研究的意义 | 第7-8页 |
| 1．2 硅基发光材料研究的历史 | 第8-10页 |
| 1．3 硅基发光材料的理论研究 | 第10-12页 |
| 1．4 本论文的研究思路和主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 薄膜的制备 | 第13-16页 |
| 2．1 实验装置 | 第13-14页 |
| 2．2 基片的清洗 | 第14页 |
| 2．3 靶材 | 第14-15页 |
| 2．4 薄膜的沉积 | 第15-16页 |
| 第三章 薄膜的表征 | 第16-20页 |
| 3．1 膜厚的测量 | 第16-18页 |
| 3．1．1 沉积时间与膜厚的关系 | 第17页 |
| 3．1．2 溅射温度与膜厚的关系 | 第17-18页 |
| 3．2 X射线衍射分析（XRD） | 第18页 |
| 3．3 透射电子显微镜以及选区电子衍射 | 第18-19页 |
| 3．4 光电子能谱分析 | 第19-20页 |
| 第四章 薄膜结构的研究 | 第20-24页 |
| 第五章 薄膜光致发光的研究 | 第24-31页 |
| 5．1 固体的发光 | 第24-25页 |
| 5．2 光致发光的原理 | 第25-26页 |
| 5．3 光致发光的实验结果及分析 | 第26-31页 |
| 第六章 薄膜电致发光的研究 | 第31-43页 |
| 6．1 电致发光的原理 | 第31-32页 |
| 6．2 电致发光器件的制作 | 第32-33页 |
| 6．3 电致发光的实验结果及分析 | 第33-43页 |
| 6．3．1 Ⅰ-Ⅴ特性的研究 | 第33-34页 |
| 6．3．2 掺杂对启动电压的影响 | 第34-35页 |
| 6．3．3 掺杂对发光中心的影响 | 第35-37页 |
| 6．3．4 掺杂对发光强度的影响 | 第37-38页 |
| 6．3．5 反向偏压下掺杂对发光强度的影响 | 第38-39页 |
| 6．3．6 掺杂对发光效率的影响 | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 附录 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
