| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| 1．1 高介电常数薄膜在制造高密度DRAM方面的研究 | 第6-10页 |
| 1．2 脉冲激光淀积技术特点及应用 | 第10-14页 |
| 1．2．1 特点 | 第11-14页 |
| 1．2．2 应用 | 第14页 |
| 1．3 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 脉冲激光淀积薄膜系统的建立 | 第16-22页 |
| 2．1 PLD系统概述 | 第16-18页 |
| 2．2 PLD系统的建立 | 第18-21页 |
| 2．3 总结 | 第21-22页 |
| 第三章 靶材的掺杂设计与制备 | 第22-30页 |
| 3．1 引言 | 第22页 |
| 3．2 加工及制备过程 | 第22-23页 |
| 3．3 实验结果测试与分析 | 第23-30页 |
| 3．3．1 测试方法介绍 | 第23-24页 |
| 3．3．2 测试结果与分析 | 第24-29页 |
| 3．3．3 结论 | 第29-30页 |
| 第四章 （Ta_2O_5）_（0．92）（TiO_2）_（0．08）薄膜PLD制备研究 | 第30-46页 |
| 4．1 PLD制备过程 | 第30-33页 |
| 4．1．1 靶材的相互作用 | 第30-31页 |
| 4．1．2 薄膜的成核与生长理论 | 第31-33页 |
| 4．2 PLD相关技术 | 第33-37页 |
| 4．2．1 消颗粒技术 | 第33-34页 |
| 4．2．2 测温和控温技术 | 第34-35页 |
| 4．2．3 基片加热技术 | 第35页 |
| 4．2．4 扫描技术 | 第35-36页 |
| 4．2．5 基片预处理技术 | 第36页 |
| 4．2．6 缓冲层技术 | 第36-37页 |
| 4．3 实验过程及方法 | 第37-39页 |
| 4．3．1 实验设备及实验材料 | 第37页 |
| 4．3．2 单晶Si基片的表面处理 | 第37页 |
| 4．3．3 薄膜试样的制备 | 第37-39页 |
| 4．4 镀膜工艺参数的影响 | 第39-44页 |
| 4．4．1 影响薄膜结构因素 | 第39-40页 |
| 4．4．2 薄膜结构和介电性质的测试 | 第40-41页 |
| 4．4．3 工艺参数对薄膜结构影响 | 第41-44页 |
| 4．5 实验结果与讨论 | 第44-45页 |
| 4．6 下一步研究的设想 | 第45-46页 |
| 第五章 脉冲激光沉积软件设计 | 第46-59页 |
| 5．1 概述 | 第46-48页 |
| 5．1．1 开发目的 | 第46页 |
| 5．1．2 主要功能 | 第46-48页 |
| 5．2 设计思想 | 第48-50页 |
| 5．3 设计原理及其过程 | 第50-56页 |
| 5．4 小结 | 第56-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |