SiC薄膜的溅射法制备与结构性能研究
| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| 1．1 SiC的结构、特性及应用前景 | 第8-11页 |
| 1．2 SiC薄膜的表征方法 | 第11-13页 |
| 1．3 SiC薄膜常用的制备方法 | 第13-15页 |
| 1．4 SiC薄膜面临的问题 | 第15页 |
| 1．5 本文研究的主要内容 | 第15-19页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 溅射镀膜技术 | 第19-28页 |
| 2．1 概述 | 第19页 |
| 2．2 溅射的特性 | 第19-22页 |
| 2．3 溅射过程 | 第22-23页 |
| 2．4 溅射机制 | 第23页 |
| 2．5 射频溅射 | 第23-27页 |
| 2．5．1 溅射镀膜分类 | 第23-24页 |
| 2．5．2 射频溅射原理及特点 | 第24-26页 |
| 2．5．3 射频溅射系统 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 工艺参数对SiC薄膜成份及结构的影响 | 第28-47页 |
| 第一节 衬底负偏压的影响 | 第28-35页 |
| 3．1．1 实验方法 | 第28页 |
| 3．1．2 样品制备 | 第28-29页 |
| 3．1．3 结果讨论 | 第29-33页 |
| 3．1．4 小结 | 第33-35页 |
| 第二节 射频功率的影响 | 第35-37页 |
| 3．2．1 引言 | 第35页 |
| 3．2．2 样品制备 | 第35页 |
| 3．2．3 结果讨论 | 第35-36页 |
| 3．2．4 小结 | 第36-37页 |
| 第三节 衬底温度的影响 | 第37-41页 |
| 3．3．1 引言 | 第37页 |
| 3．3．2 不同温度下SiC薄膜的红外光谱分析 | 第37-39页 |
| 3．3．3 如何减小薄膜中SiO_x的含量 | 第39页 |
| 3．3．4 衬底温度对薄膜结构的影响 | 第39-40页 |
| 3．3．5 小结 | 第40-41页 |
| 第四节 分步偏压法制备SiC薄膜 | 第41-45页 |
| 3．4．1 引言 | 第41页 |
| 3．4．2 实验方法 | 第41-42页 |
| 3．4．3 结果讨论 | 第42-44页 |
| 3．4．4 小结 | 第44-45页 |
| 第五节 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 SiC薄膜的光吸收分析 | 第47-57页 |
| 4．1 引言 | 第47页 |
| 4．2 半导体材料的光吸收 | 第47-49页 |
| 4．3 薄膜材料光吸收系数的计算 | 第49-51页 |
| 4．4 SiC薄膜的光吸收分析 | 第51-55页 |
| 4．5 小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 薄膜的粘附性与过渡层技术 | 第57-64页 |
| 第一节 薄膜的粘附性 | 第57-60页 |
| 5．1．1 引言 | 第57页 |
| 5．1．2 薄膜的附着力 | 第57-58页 |
| 5．1．3 薄膜的内应力 | 第58-59页 |
| 5．1．4 薄膜内应力的起因 | 第59-60页 |
| 第二节 利用多层过渡界面改善SiC薄膜的粘附性 | 第60-63页 |
| 5．2．1 问题的提出 | 第60页 |
| 5．2．2 实验方法 | 第60-61页 |
| 5．2．3 结果讨论 | 第61-62页 |
| 5．2．4 为何选择Ti和TiN作为过渡界面材料 | 第62-63页 |
| 5．2．5 小结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第六章 SiC薄膜的防氚渗透性能 | 第64-69页 |
| 6．1 引言 | 第64-65页 |
| 6．1．1 聚变能 | 第64页 |
| 6．1．2 聚变堆等离子体面对材料的性能要求 | 第64-65页 |
| 6．1．3 SiC薄膜防氚渗透性能的表征 | 第65页 |
| 6．2 样品制备 | 第65页 |
| 6．3 结果讨论 | 第65-67页 |
| 6．4 小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第七章 总结 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
