| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| §1.1 引言 | 第7-10页 |
| §1.2 半导体量子点电子结构的研究进展 | 第10-20页 |
| §1.3 主要的研究工作 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 半导体量子点的形状对受限激子的影响 | 第27-40页 |
| §2.1 强受限范围内半导体量子点的形状对受限激子的影响——量子受限效应 | 第27-32页 |
| §2.2 半导体量子点的形状对受限激子的影响——介电受限效应 | 第32-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 介电受限效应对CdSe量子点中受限激子的影响 | 第40-49页 |
| §3.1 引言 | 第40页 |
| §3.2 理论模型 | 第40-42页 |
| §3.3 计算结果与分析 | 第42-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 受限势的形状和磁场对半导体量子盘中电子和施主能谱的影响 | 第49-62页 |
| §4.1 引言 | 第49页 |
| §4.2 理论模型和计算方法 | 第49-56页 |
| §4.3 计算结果与讨论 | 第56-59页 |
| §4.4 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 非均匀量子点中的电子结构 | 第62-82页 |
| §5.1 引言 | 第62-63页 |
| §5.2 模型和计算方法 | 第63-66页 |
| §5.3 计算结果与分析 | 第66-79页 |
| §5.4 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 第六章 电子之间的相互作用对半导体量子点中两电子谱的影响 | 第82-93页 |
| §6.1 引言 | 第82页 |
| §6.2 量子点中两电子系统的Hamiltonian和能级 | 第82-85页 |
| §6.3 计算结果与分析 | 第85-91页 |
| §6.4 结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 结束语 | 第93-95页 |
| 在学期间主要发表和完成的论文 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
