| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·团簇概述 | 第10-12页 |
| ·团簇及其基本性质 | 第10-11页 |
| ·团簇的研究方法 | 第11-12页 |
| ·半导体团簇的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文的工作 | 第13-14页 |
| 第二章 密度泛函理论简介 | 第14-23页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第14-16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-19页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第17-19页 |
| ·交换关联泛函的简化 | 第19-21页 |
| ·布洛赫定理 | 第21-23页 |
| 第三章 分子动力学方法 | 第23-36页 |
| ·经典分子动力学方法 | 第23-29页 |
| ·概述 | 第23-24页 |
| ·运动方程及积分方法 | 第24-28页 |
| ·原胞与周期性边界条件 | 第28页 |
| ·模拟结果的分析方法 | 第28-29页 |
| ·恒温下的分子动力学 | 第29-31页 |
| ·Andersen 热浴 | 第29-30页 |
| ·Nose-Hoover 热浴 | 第30-31页 |
| ·CP 方法 | 第31-36页 |
| ·CP 方法的基本原理 | 第31-33页 |
| ·基于范数不变赝势CP 方法的具体实现 | 第33-36页 |
| 第四章 硅团簇Si_n(n=4-7)的振动特性 | 第36-48页 |
| ·硅团簇Si_n(n=4-7)的振动谱 | 第36-40页 |
| ·计算方法 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-40页 |
| ·硅团簇Si_n(n=4-7)的本征振动模式 | 第40-47页 |
| ·计算方法 | 第40-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-47页 |
| ·本章小节 | 第47-48页 |
| 第五章 硅团簇Si_n(n=4-7)的熔化行为 | 第48-64页 |
| ·硅团簇Si_n(n=4-7)熔化对其空间结构的影响 | 第48-58页 |
| ·熔化判据 | 第48-49页 |
| ·计算方法 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-58页 |
| ·硅团簇Si_n(n=4-7)熔化对其电子结构的影响 | 第58-63页 |
| ·能态密度 | 第58-59页 |
| ·计算方法 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-63页 |
| ·本章小节 | 第63-64页 |
| 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第71页 |