| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第8-10页 |
| ·宽带隙稀磁半导体及其低维相的研究 | 第10-12页 |
| ·本论文研究工作内容 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第16-33页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算方法 | 第16-20页 |
| ·离散变分电子结构计算方法 | 第20-22页 |
| ·基于离散变分方法的ADF | 第22-27页 |
| ·原子模拟方法 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 过渡金属掺杂纳晶 GaN的电子结构和磁学特性 | 第33-53页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·纯净岩盐结构GaN | 第33-34页 |
| ·具有O_h对称性的TM-GaN纳晶 | 第34-44页 |
| ·具有D_(4h)对称性的TM-GaN纳晶 | 第44-49页 |
| ·具有T_d对称性的TM-GaN纳晶 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 过渡金属掺杂纳晶 ZnO的结构特性 | 第53-63页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·过渡金属掺杂ZnO纳晶的结构特性 | 第53-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 结束语 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第65页 |