一维纳米结构电子输运性质的理论研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| ·纳米电子学的诞生 | 第9页 |
| ·介观体系的电子输运 | 第9-12页 |
| ·单电子隧穿(SET) | 第10-11页 |
| ·负微分电阻(NDR) | 第11页 |
| ·分子整流效应 | 第11-12页 |
| ·纳米电子器件的实验研究 | 第12-16页 |
| ·直接刻蚀烧蚀法 | 第12-15页 |
| ·有序自组装法 | 第15-16页 |
| ·纳米电子器件的理论方法 | 第16-21页 |
| ·散射矩阵法 | 第17-20页 |
| ·非平衡格林函数方法（NEGF） | 第20-21页 |
| ·本论文的内容和意义 | 第21-22页 |
| ·参考文献 | 第22-30页 |
| 第二章 密度泛函理论和非平衡格林函数方法 | 第30-49页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·密度泛函理论 | 第30-37页 |
| ·波恩-奥本海默近似 | 第30页 |
| ·哈特里-福克方程 | 第30-32页 |
| ·托马斯-费米近似 | 第32-33页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第33-34页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第34-36页 |
| ·交换相关能泛函 | 第36-37页 |
| ·非平衡格林函数理论 | 第37-44页 |
| ·Landauer 输运理论 | 第37-40页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第40-41页 |
| ·矩阵形式的非平衡格林函数方法 | 第41-42页 |
| ·DFT+NEGF 方法 | 第42-44页 |
| ·本论文用到的基于密度泛函理论的软件包 | 第44-45页 |
| ·参考文献 | 第45-49页 |
| 第三章 耦合量子点的电子输运 | 第49-67页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·量子点链的耦合情况分析 | 第49-56页 |
| ·理论模型 | 第49-52页 |
| ·量子点链中的电子输运 | 第52-56页 |
| ·多体相互作用下的双量子点 | 第56-65页 |
| ·模型构造 | 第56-59页 |
| ·QD 间e-e 相互作用的影响 | 第59-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·参考文献 | 第66-67页 |
| 第四章 有机分子的电子输运性质 | 第67-80页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·三种芳香环分子的电子输运 | 第67-77页 |
| ·分子电子器件 | 第67-68页 |
| ·分子器件中的NDR 现象 | 第68-69页 |
| ·模型构造 | 第69-70页 |
| ·结果和讨论 | 第70-77页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| ·参考文献 | 第78-80页 |
| 第五章 一维硅纳米线的电子结构和输运性质 | 第80-111页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·Si 常见的晶向及表面 | 第81-84页 |
| ·SiNW 的横截面和形成能 | 第84-86页 |
| ·Si 纳米链的输运性质 | 第86-92页 |
| ·模型构造 | 第86-87页 |
| ·纳米链的稳定性 | 第87-89页 |
| ·纳米链的电子输运性质 | 第89-92页 |
| ·有限截面纳米线的输运性质 | 第92-107页 |
| ·电子结构 | 第92-98页 |
| ·有限截面纳米线的电子输运 | 第98-107页 |
| ·结论 | 第107-108页 |
| ·参考文献 | 第108-111页 |
| 第六章 总结和展望 | 第111-113页 |
| 发表文章目录 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
