| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-18页 |
| 1 绪论 | 第18-44页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的性质 | 第19-22页 |
| ·量子尺寸效应 | 第20页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第20-21页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第21页 |
| ·小尺寸效应 | 第21页 |
| ·表面效应 | 第21-22页 |
| ·纳米材料的生长及其应用前景 | 第22-30页 |
| ·纳米材料的生长 | 第22-25页 |
| ·纳米材料的应用前景 | 第25-30页 |
| ·碳化硅半导体材料的基本性质 | 第30-33页 |
| ·碳化硅纳米材料的研究现状 | 第33-40页 |
| ·碳化硅纳米材料的制备 | 第33-37页 |
| ·碳化硅纳米材料的性能及潜在应用 | 第37-40页 |
| ·本论文选题背景和研究内容 | 第40-44页 |
| ·论文选题背景 | 第40-41页 |
| ·研究内容 | 第41-44页 |
| 2 实验设备及表征方法 | 第44-50页 |
| ·实验原料及设备 | 第44-46页 |
| ·实验用主要原料及化学试剂 | 第44-45页 |
| ·实验设备及仪器 | 第45-46页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·分析表征方法 | 第47-50页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第47页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第47页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第47页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第47-48页 |
| ·拉里光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第48页 |
| ·红外光谱仪(IR) | 第48-50页 |
| 3 多孔氧化铝基片辅助的高质量SiC纳米棒制备和表征 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验 | 第51-52页 |
| ·实验装置与实验过程 | 第51-52页 |
| ·材料表征 | 第52页 |
| ·实验结果与分析 | 第52-57页 |
| ·X射线衍射仪分析 | 第52-53页 |
| ·场发射扫描电镜形貌分析 | 第53-54页 |
| ·透射电镜、电子衍射及能谱分析 | 第54-57页 |
| ·SiC纳米棒的生长机理 | 第57-60页 |
| ·碳纳米管形貌对产物形貌结构的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 4 双晶SiC纳米带、单晶SiC/SiO_2核壳纳米异质电缆的生长及光致发光研究 | 第64-78页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验 | 第64页 |
| ·双晶SiC纳米带 | 第64-68页 |
| ·XRD分析 | 第64-65页 |
| ·形貌和结构分析 | 第65-68页 |
| ·单晶SiC/SiO_2核壳纳米异质结 | 第68-70页 |
| ·XRD以及FTIR分析 | 第68-69页 |
| ·形貌和结构分析 | 第69-70页 |
| ·双晶SiC纳米带和单晶SiC/SiO_2核壳纳米异质的生长机理 | 第70-74页 |
| ·双晶SiC纳米带的生长过程 | 第71页 |
| ·单晶SiC/SiO_2核壳纳米异质电缆的形成 | 第71-74页 |
| ·双晶SiC纳米带和单晶SiC/SiO_2核壳纳米电缆的光致发光 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 5 热蒸发法生长不同形貌和结构的SiC纳米材料 | 第78-106页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·炭黑为碳源热蒸发制备SiC纳米棱柱 | 第79-86页 |
| ·实验方法 | 第79页 |
| ·实验结果及分析 | 第79-84页 |
| ·生长机理分析 | 第84-85页 |
| ·SiC纳米棱柱的Raman分析 | 第85-86页 |
| ·自组装分节的SiC纳米材料 | 第86-93页 |
| ·实验方法 | 第86页 |
| ·实验结果及分析 | 第86-91页 |
| ·生长机理分析 | 第91-92页 |
| ·分节SiC纳米材料的光致发光 | 第92-93页 |
| ·SiC纳米材料的可控生长 | 第93-103页 |
| ·实验方法 | 第94页 |
| ·实验结果及分析 | 第94-98页 |
| ·SiC纳米结构生长热力学分析 | 第98-100页 |
| ·SiC纳米结构形貌控制和演化机理 | 第100-102页 |
| ·SiC纳米结构的光致发光 | 第102-103页 |
| ·本章小结 | 第103-106页 |
| 6 C-Si-O-X(X=Fe、Ni、NiSi)复杂体系下纳米结构的生长与机理分析 | 第106-132页 |
| ·引言 | 第106-107页 |
| ·C-Si-O-Fe体系下纳米材料的生长 | 第107-114页 |
| ·实验过程 | 第107-108页 |
| ·实验结果及分析 | 第108-114页 |
| ·氧化硅纳米线自组装生长优雅的向日葵状纳米结构 | 第114-119页 |
| ·引言 | 第114页 |
| ·氧化硅纳米结构形貌分析 | 第114-117页 |
| ·向日葵状氧化硅纳米“建筑物”生长机理 | 第117-119页 |
| ·C-Si-O-Ni体系下纳米材料的生长 | 第119-121页 |
| ·C-Si-O-NiSi体系下SiC纳米材料的生长 | 第121-130页 |
| ·实验过程 | 第121页 |
| ·形貌和结构表征 | 第121-124页 |
| ·温度的影响 | 第124-126页 |
| ·真空度的影响 | 第126-127页 |
| ·SiC纳米线生长机理分析 | 第127-129页 |
| ·Raman分析 | 第129-130页 |
| ·本章小结 | 第130-132页 |
| 7 “之”字状SiC孪晶纳米针的生长与结构缺陷研究 | 第132-154页 |
| ·引言 | 第132页 |
| ·“之”字状的SiC孪晶纳米针 | 第132-140页 |
| ·“之”字状的SiC孪晶纳米针的制备 | 第133-134页 |
| ·“之”字状的SiC孪晶纳米针的形貌和微结构分析 | 第134-137页 |
| ·“之”字状SiC孪晶纳米针生长和晶体学机理 | 第137-139页 |
| ·“之”字状的SiC孪晶纳米针的光致发光 | 第139-140页 |
| ·SiC纳米材料中的堆垛层错与孪晶 | 第140-151页 |
| ·实验方法 | 第140页 |
| ·堆垛层错 | 第140-144页 |
| ·孪晶 | 第144-148页 |
| ·堆垛层错与孪晶间的演化 | 第148-151页 |
| ·SiC孪晶产生的晶体学分析 | 第151-152页 |
| ·本章总结 | 第152-154页 |
| 8 总结与展望 | 第154-158页 |
| ·总结 | 第154-156页 |
| ·展望 | 第156-158页 |
| 参考文献 | 第158-176页 |
| 作者简历及在攻读学位期间发表的论文、专利 | 第176-178页 |
| 作者简历 | 第176页 |
| 攻读学位期间发表的论文、专利 | 第176-178页 |
