| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题的研究目的和意义 | 第10-12页 |
| ·课题的研究现状 | 第12-16页 |
| ·课题的来源和主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 理论基础 | 第17-29页 |
| ·多粒子系统的Schr?dinger 方程 | 第17-18页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第18页 |
| ·轨道近似(单电子近似) | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论(DFT)简介 | 第19-28页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第20-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第21-23页 |
| ·Kohn-Sham 方法 | 第23-24页 |
| ·交换相关能泛函 | 第24-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 计算方法与模型 | 第29-36页 |
| ·计算方法 | 第29-33页 |
| ·阳离子的验证 | 第29-31页 |
| ·几何构型的验证 | 第31-32页 |
| ·激发能的验证 | 第32-33页 |
| ·计算模型 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 未掺杂σ-π共轭导电高分子理论研究 | 第36-62页 |
| ·引言 | 第36-38页 |
| ·nSi_x~L(C=C)_y 和nSi_x~R(C=C)_y 的结果与讨论 | 第38-61页 |
| ·nSi_x~L(C=C)_y 和nSi_x~R(C=C)_y 的几何结构 | 第38-44页 |
| ·nSi_x~L(C=C)_y 和nSi_x~R(C=C)_y 的激发能 | 第44-52页 |
| ·nSi_x~L(C=C)_y 和nSi_x~R(C=C)_y 载流子的注入 | 第52-58页 |
| ·R-nSix(C=C)_y 体系 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 掺杂σ-π共轭导电高分子的理论研究 | 第62-76页 |
| ·掺杂效应 | 第62-75页 |
| ·掺杂效应对几何结构的影响 | 第62-66页 |
| ·掺杂效应对激发能的影响 | 第66-68页 |
| ·掺杂后极子分布情况 | 第68-74页 |
| ·掺杂后载流子的传输速率 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
