| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·微电子封装技术的发展 | 第12-15页 |
| ·表面组装技术(SMT) | 第13页 |
| ·球栅阵列连接(BGA) | 第13-14页 |
| ·倒装芯片技术(Flip-Chip) | 第14-15页 |
| ·晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP) | 第15页 |
| ·无铅钎料的发展 | 第15-21页 |
| ·钎料的无铅化 | 第15-16页 |
| ·无铅钎料的性能要求 | 第16-17页 |
| ·无铅钎料的发展现状 | 第17-19页 |
| ·SnAgCu 系钎料的专利状况 | 第19-20页 |
| ·SnAgCu 系钎料存在的问题 | 第20-21页 |
| ·低银钎料的光明前景 | 第21页 |
| ·焊点可靠性与界面反应 | 第21-23页 |
| ·焊点的失效机制 | 第21-22页 |
| ·钎料与不同焊盘的反应 | 第22-23页 |
| ·课题研究目的及内容 | 第23-25页 |
| 第2章 钎焊试样制备与实验方法 | 第25-32页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi 钎料合金的制备 | 第25-26页 |
| ·试验材料 | 第25页 |
| ·试验方法与设备 | 第25-26页 |
| ·等温时效 | 第26-28页 |
| ·试验材料 | 第26-27页 |
| ·试验方法与设备 | 第27-28页 |
| ·多次回流焊 | 第28-29页 |
| ·试验材料 | 第28页 |
| ·试验方法与设备 | 第28-29页 |
| ·拉伸试验 | 第29-31页 |
| ·试验材料 | 第29页 |
| ·试验方法与设备 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 Ni 对 Sn-0.3Ag-0.7Cu 钎料显微组织及界面 IMC 的影响 | 第32-38页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi 钎料显微组织 | 第32-34页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Cu 的界面 IMC 形貌 | 第34-35页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Ni 的界面 IMC 形貌 | 第35页 |
| ·界面处IMC 的生长过程 | 第35-36页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi 界面 IMC 的厚度 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 时效对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi 界面 IMC 影响 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·时效对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Cu 界面 IMC 影响 | 第38-43页 |
| ·时效对界面IMC 的意义 | 第38-39页 |
| ·时效后界面IMC 形貌 | 第39-41页 |
| ·时效后界面IMC 生长速率 | 第41-43页 |
| ·固态反应金属间化合物生长动力学 | 第43页 |
| ·时效对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Ni 界面 IMC 的影响 | 第43-48页 |
| ·时效后界面IMC 形貌 | 第43-45页 |
| ·时效后界面IMC 生长速率 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 时效对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Cu 剪切强度的影响 | 第49-55页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi/Cu 的剪切强度 | 第49-50页 |
| ·时效后剪切性能分析 | 第50-54页 |
| ·时效对剪切强度的影响 | 第50-51页 |
| ·时效对剪切断口形貌影响 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 多次回流焊对 Sn-0.3Ag-0.7Cu-XNi 界面IMC 及剪切强度的影响 | 第55-61页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·多次回流焊后焊点界面IMC 行为 | 第55-58页 |
| ·多次回流焊后界面IMC 形貌 | 第55-57页 |
| ·多次回流焊后界面IMC 厚度 | 第57-58页 |
| ·多次回流焊对剪切强度和断口形貌的影响 | 第58-60页 |
| ·回流次数对剪切强度的影响 | 第58-59页 |
| ·回流次数对断口形貌的影响 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
