| 内容提要 | 第1-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·纳米材料和技术的简介 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的性质 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第11-18页 |
| ·半导体的性质 | 第11-12页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第13页 |
| ·稀磁半导体的性质 | 第13-14页 |
| ·研究稀磁半导体的历史过程 | 第14-15页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源 | 第15-18页 |
| ·III 族纳米氮化物的研究背景简介 | 第18-24页 |
| ·氮化铝纳米材料的研究背景简介 | 第19-21页 |
| ·氮化镓纳米材料的研究背景简介 | 第21-23页 |
| ·氮化铟纳米材料的研究背景简介 | 第23-24页 |
| ·氮化铝基的稀磁半导体的研究背景简介 | 第24-26页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第26-28页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第28-30页 |
| 第二章 AlN 纳米结构的制备 | 第30-69页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·本文实验原理及装置 | 第31-33页 |
| ·实验原理 | 第31页 |
| ·制备AlN 不同纳米材料的实验装置 | 第31-33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·测试方法和仪器 | 第34-35页 |
| ·AlN 树状结构的制备、表征和物性研究 | 第35-40页 |
| ·样品的X 射线衍射谱图 | 第35页 |
| ·样品的形貌分析 | 第35-37页 |
| ·样品的拉曼光谱分析 | 第37-38页 |
| ·样品的光致发光光谱分析 | 第38-39页 |
| ·AlN 树状结构生长机制的分析 | 第39-40页 |
| ·AlN 海胆状结构的制备、表征和物性研究 | 第40-44页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第40页 |
| ·样品的形貌分析 | 第40-42页 |
| ·样品的拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
| ·样品的光致发光光谱分析 | 第43页 |
| ·AlN 海胆结构的生长机制分析 | 第43-44页 |
| ·AlN 玫瑰花状结构的制备、表征和物性研究 | 第44-49页 |
| ·样品的XRD 和EDS 谱图分析 | 第44-45页 |
| ·样品的形貌分析 | 第45-47页 |
| ·样品的拉曼 | 第47页 |
| ·样品的光致发光光谱 | 第47-48页 |
| ·AlN 玫瑰花状结构生长机制的探讨 | 第48-49页 |
| ·AlN 分级结构的制备和表征 | 第49-54页 |
| ·样品的X 射线衍射表征 | 第49-50页 |
| ·样品的形貌分析 | 第50-53页 |
| ·AlN 分级结构的光致发光光谱分析（见下节） | 第53页 |
| ·AlN 分级结构生长机制（见下节） | 第53-54页 |
| ·AlN 海胆分支结构的制备、表征和和物性研究 | 第54-58页 |
| ·样品的X 射线衍射分析 | 第54页 |
| ·样品的形貌分析 | 第54-55页 |
| ·AlN 分级结构和海胆分支结构的光致发光光谱分析 | 第55-56页 |
| ·AlN 海胆分支结构和分级结构生长机制的分析 | 第56-58页 |
| ·AlN 单边梳结构的制备、表征和和物性研究 | 第58-63页 |
| ·样品的XRD 和EDS 谱图分析 | 第58-59页 |
| ·样品的形貌分析 | 第59-61页 |
| ·AlN 单边梳结构的拉曼光谱 | 第61页 |
| ·AlN 单边梳结构的光致发光光谱分析 | 第61-62页 |
| ·AlN 单边梳结构的生长机制分析 | 第62-63页 |
| ·AlN 单边钉结构的制备、表征和和物性研究 | 第63-68页 |
| ·样品的X 射线衍射分析 | 第63页 |
| ·样品的形貌分析 | 第63-66页 |
| ·样品的拉曼光谱 | 第66-67页 |
| ·AlN 单边钉结构的光致发光光谱分析 | 第67页 |
| ·AlN 单边钉结构生长机制的分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第三章 GaN 多孔结构的制备和表征 | 第69-78页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·GaN 多孔结构的制备装置和过程 | 第70-71页 |
| ·测试方法和仪器 | 第71-72页 |
| ·GaN 多孔结构的表征和物性研究 | 第72-77页 |
| ·GaN 多孔结构的XRD 谱图 | 第72-73页 |
| ·GaN 多孔结构的形貌分析 | 第73页 |
| ·GaN 多孔结构的的拉曼光谱分析 | 第73-75页 |
| ·GaN 多孔结构的的光致发光光谱分析 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 过渡金属掺杂AlN 稀磁半导体的制备和表征 | 第78-88页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·Fe 掺杂AlN 纳米结构的制备 | 第79-87页 |
| ·样品的制备 | 第79页 |
| ·测试方法和仪器 | 第79页 |
| ·AlN:Fe 纳米结构的XRD 谱图 | 第79-80页 |
| ·AlN:Fe 纳米结构的形貌分析 | 第80-85页 |
| ·AlN:Fe 六重纳米结构生长机制的分析 | 第85-86页 |
| ·样品的磁性分析 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 稀土掺杂AlN 基稀磁半导体的制备与性质研究 | 第88-112页 |
| ·AlN:Sc 稀磁半导体的制备与性质研究 | 第88-99页 |
| ·研究背景 | 第88-89页 |
| ·实验方法 | 第89页 |
| ·测试方法和仪器 | 第89-90页 |
| ·计算程序 | 第90页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第90-91页 |
| ·样品的形貌分析 | 第91-93页 |
| ·样品的Raman 光谱分析 | 第93-94页 |
| ·样品的磁性分析 | 第94页 |
| ·第一性原理分析磁性来源 | 第94-98页 |
| ·小结 | 第98-99页 |
| ·AlN:Sc 六重结构稀磁半导体的制备与性质研究 | 第99-104页 |
| ·实验方法 | 第99页 |
| ·AlN:Sc 六重结构的XRD 分析 | 第99-100页 |
| ·样品的形貌分析 | 第100-102页 |
| ·样品的Raman 光谱分析 | 第102-103页 |
| ·AlN:Sc 纳米六重结构生长机理的分析 | 第103页 |
| ·样品的磁性分析 | 第103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| ·AlN:Y 纳米棒稀磁半导体的制备与性质研究 | 第104-112页 |
| ·实验方法 | 第104页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第104-105页 |
| ·样品的形貌分析 | 第105-107页 |
| ·样品的磁性分析 | 第107-108页 |
| ·第一性原理分析磁性来源 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 第六章 III 族纳米氮化物高压研究 | 第112-133页 |
| ·高压实验装置及实验技术 | 第112-115页 |
| ·AlN 纳米晶和纳米线的高压同步辐射X-Ray 研究 | 第115-122页 |
| ·研究背景 | 第115页 |
| ·样品的制备 | 第115-116页 |
| ·实验方法 | 第116页 |
| ·高压X-ray 衍射谱实验结果与分析 | 第116-121页 |
| ·小结 | 第121-122页 |
| ·GaN 纳米线的高压同步辐射X-Ray 研究 | 第122-128页 |
| ·研究背景 | 第122页 |
| ·样品的制备 | 第122-123页 |
| ·实验方法 | 第123页 |
| ·高压X-ray 衍射谱实验结果与分析 | 第123-127页 |
| ·小结 | 第127-128页 |
| ·InN 纳米晶的高压同步辐射X-Ray 研究 | 第128-133页 |
| ·研究背景 | 第128页 |
| ·样品的制备 | 第128页 |
| ·实验方法 | 第128-129页 |
| ·高压X-ray 衍射谱实验结果与分析 | 第129-132页 |
| ·小结 | 第132-133页 |
| 第七章 结论 | 第133-137页 |
| 参考文献 | 第137-150页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第150-154页 |
| 作者简介 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155-157页 |
| 摘要 | 第157-161页 |
| Abstract | 第161-165页 |
