| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-17页 |
| 符号说明 | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-45页 |
| ·晶粒生长的模拟 | 第18-25页 |
| ·晶粒生长过程的研究意义 | 第18-19页 |
| ·模拟晶粒生长的方法和模型 | 第19-25页 |
| ·铁电热电性质的理论研究现状 | 第25-30页 |
| ·铁电材料 | 第25-29页 |
| ·热电材料 | 第29-30页 |
| ·多晶材料物理性质模拟的意义 | 第30-31页 |
| ·本文的选题及研究内容 | 第31-32页 |
| ·例证:方法的可靠性- 蒙特卡罗方法确定伊辛带的宽度阈值 | 第32-36页 |
| ·伊辛带的研究背景 | 第32-34页 |
| ·模拟方法和模型 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-45页 |
| 第二章 缺陷对多晶铁电材料极化反转过程的影响 | 第45-68页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·Potts-Ising模型 | 第46-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-63页 |
| ·多晶结构形貌图和畴结构图 | 第48-50页 |
| ·外界条件对多晶铁电陶瓷电滞回线的影响 | 第50-54页 |
| ·平均晶粒尺寸和缺陷浓度对电滞回线的影响 | 第54-57页 |
| ·平均晶粒尺寸和缺陷浓度对开关电流的影响 | 第57-60页 |
| ·多晶铁电陶瓷在外场作用下畴的演化图 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第三章 多晶弛豫铁电陶瓷介电常数及畴演化过程的模拟研究 | 第68-87页 |
| ·引言 | 第68-71页 |
| ·Potts-Ising偶极玻璃模型 | 第71-73页 |
| ·结果和讨论 | 第73-83页 |
| ·多晶弛豫铁电体的形貌图 | 第73-74页 |
| ·多晶弛豫铁电体的介电行为 | 第74-81页 |
| ·多晶弛豫铁电体的极化反转过程的模拟 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 第四章 多晶热电材料的热电性质模拟研究 | 第87-101页 |
| ·引言 | 第87-89页 |
| ·物理量的公式推导 | 第89-91页 |
| ·结果和讨论 | 第91-98页 |
| ·重整化的多晶图案 | 第91-92页 |
| ·平均晶粒尺寸对赛贝克系数的影响 | 第92-93页 |
| ·平均晶粒尺寸及外加电场对电导率的影响 | 第93-96页 |
| ·热导率的计算结果 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第五章 总结 | 第101-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 发表论文目录和获奖情况 | 第105-108页 |
| 英文论文一 Ferroelectric Properties of Polycrystalline ceramics with Dipolar Defect simulated from Potts-Ising Model | 第108-121页 |
| 英文论文二 Simulation on dielectric susceptibility and domain evolution of relaxor ferroelectrics | 第121-134页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第134页 |
