| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·太阳能的应用进展 | 第13-16页 |
| ·世界能源消费现状和趋势 | 第13页 |
| ·太阳能的应用进展 | 第13页 |
| ·太阳能电池的原理及种类 | 第13-16页 |
| ·SnS、Sn_2S_3薄膜材料的研究进展 | 第16-21页 |
| ·SnS的性质及其研究进展 | 第16-17页 |
| ·Sn_2S_3的性质及其研究进展 | 第17页 |
| ·SnS、Sn_2S_3薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·课题意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-29页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第23页 |
| ·实验方法 | 第23-24页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·基片处理 | 第24页 |
| ·实验过程 | 第24-25页 |
| ·硫锡半导体薄膜的电化学制备条件研究 | 第25-27页 |
| ·Ni箔电极在加入络合剂前后的SnCl_2溶液中的阴极极化行为 | 第25-26页 |
| ·Ni箔电极在加入稳定剂前后的Na_2S_2O_3溶液中的阴极极化行为 | 第26页 |
| ·Ni箔电极在电沉积液中的电化学行为 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 硫锡半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的电化学制备与表征 | 第29-51页 |
| ·沉积电位对薄膜结构、形貌和成分的影响 | 第29-33页 |
| ·沉积电位对薄膜结构的影响 | 第29-30页 |
| ·沉积电位对薄膜微观形貌的影响 | 第30-32页 |
| ·沉积电位对薄膜成分的影响 | 第32-33页 |
| ·退火温度对于薄膜结构的影响 | 第33-35页 |
| ·基底对薄膜形貌及成分的影响 | 第35-37页 |
| ·基底对薄膜形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·基底对薄膜成分的影响 | 第36-37页 |
| ·纳米晶及纳米棒网络结构硫锡半导体薄膜的制备 | 第37-49页 |
| ·纳米晶及纳米棒网络结构Sn_2S_3薄膜制备 | 第37-44页 |
| ·纳米晶及纳米棒网络结构SnS薄膜制备 | 第44-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第四章 硫锡半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的光电性能研究 | 第51-55页 |
| ·Sn_2S_3半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的光电性能研究 | 第51-53页 |
| ·Sn_2S_3半导体纳米晶及纳米棒网络Sn_2S_3薄膜的光学性能研究 | 第51-52页 |
| ·Sn_2S_3半导体纳米晶及纳米棒网络Sn_2S_3薄膜的电学性能研究 | 第52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| ·SnS半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的光电性能研究 | 第53-54页 |
| ·SnS半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的光学性能研究 | 第53-54页 |
| ·SnS半导体纳米晶及纳米棒网络薄膜的光电性能 | 第54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第63-65页 |
| 作者及导师简介 | 第65页 |
