| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·MoS_2微纳结构的合成及应用简介 | 第13-18页 |
| ·水热合成 | 第13-14页 |
| ·气-固反应合成 | 第14-15页 |
| ·超声喷雾热分解法合成 | 第15-16页 |
| ·超声化学法合成 | 第16-17页 |
| ·电化学/化学方法合成 | 第17页 |
| ·金属有机化学气相沉积方法合成 | 第17-18页 |
| ·具有规则几何外形的无机空心微纳结构的合成简介 | 第18-26页 |
| ·有机物或表面活性剂作模板可控合成 | 第18-20页 |
| ·具有规则形貌的无机晶体作硬模板可控合成 | 第20-23页 |
| ·选择性刻蚀具有规则形貌的无机晶体可控合成 | 第23-25页 |
| ·自组装可控合成 | 第25-26页 |
| ·单壁碳纳米管类薄膜结构的合成及其在电子器件方面的应用简介 | 第26-36页 |
| ·单壁碳纳米管类薄膜结构的制备方法 | 第27-29页 |
| ·化学气相沉积生长(CVD) | 第27-29页 |
| ·单壁碳纳米管类薄膜结构在电子器件方面的应用 | 第29-36页 |
| ·碳纳米管薄膜在活性透明电子和光电子器件方面的应用 | 第29-30页 |
| ·碳纳米管薄膜在机械可弯曲的薄膜晶体管方面的应用 | 第30-33页 |
| ·碳纳米管薄膜在可伸展的电子器件方面的应用 | 第33页 |
| ·碳纳米管薄膜在薄膜射频模拟电子器件上的应用 | 第33-35页 |
| ·碳纳米管薄膜中金属性和半导体碳纳米管的分离 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-44页 |
| 第二章 MOS_2空心立方笼状多级结构的制备及其在电化学储氢的应用 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·一步法制备由双层纳米片组成的MoS_2空心立方笼状多级结构 | 第44-45页 |
| ·合成背景简介和合成思路的提出 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45页 |
| ·产物表征 | 第45-46页 |
| ·产物形成的机理研究 | 第46-50页 |
| ·MoS_2空心立方笼状多级结构的电化学储氢性质的研究 | 第50-51页 |
| ·MoS_2电化学储氢性质的研究背景简介 | 第50页 |
| ·实验部分 | 第50页 |
| ·MoS_2空心立方笼状多级结构电极的充放电性质 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 多种新奇具有规则几何外形的MOS_2空心笼状多级结构的制备 | 第54-70页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·合成背景和合成思路简介 | 第54-55页 |
| ·实验部分 | 第55页 |
| ·最终产物表征 | 第55-59页 |
| ·中间产物表征 | 第59-65页 |
| ·反应机理研究 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 有序排列的单壁碳纳米管阵列组成的晶体管的缩放属性 | 第70-82页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·单壁碳纳米管阵列薄膜晶体管的电学曲线分析及等价电路模型的建立 | 第70-74页 |
| ·以Pd为电极的薄膜晶体管的各种参数分析 | 第74-76页 |
| ·以Au为电极的薄膜晶体管的各种参数分析 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 单壁碳纳米管阵列肖特基二极管完整的实验和理论研究 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·单根单壁碳纳米管电子器件系统的实验和理论研究 | 第82-88页 |
| ·实验部分 | 第82-83页 |
| ·单根单壁碳纳米管电子器件的电子学性质,物理模型推导及计算机模拟结果 | 第83-88页 |
| ·单壁碳纳米管阵列肖特基二极管系统的实验和理论研究 | 第88-92页 |
| ·实验部分 | 第88页 |
| ·具有代表性的碳纳米管阵列的形貌和尺寸研究 | 第88-89页 |
| ·有序排列的单壁碳纳米管阵列肖特基二极管的电学曲线分析 | 第89-91页 |
| ·通过单向电压扫描的过程得到高整流率的碳纳米管阵列二极管 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
