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POSS基低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 综述第10-53页
   ·选题背景第10-13页
   ·降低介电常数的常用方法第13-15页
     ·降低极化率第13-14页
     ·降低材料密度第14-15页
   ·低介电常数材料的性能要求第15页
   ·低介电常数材料的研究进展第15-34页
     ·无机类低介电常数材料第15-20页
     ·有机低介电常数材料第20-30页
     ·有机-无机杂化低介电常数材料第30-34页
   ·目前低介电材料存在的不足第34-35页
   ·本文的研究目标及方案第35-39页
     ·研究目标第35-36页
     ·研究方案第36-39页
   ·本论文主要创新点第39-41页
 参考文献第41-53页
第二章 功能性单体的合成及性能第53-75页
   ·前言第53页
   ·目标功能单体的设计与合成路线第53-55页
     ·目标功能性单体第53-54页
     ·功能性单体的合成路线第54-55页
   ·功能性单体的合成及结构表征第55-58页
     ·试剂及原料第55页
     ·主要仪器第55-56页
     ·功能性单体的合成第56-58页
   ·功能性单体的热性能与液晶性能第58-65页
     ·单体热性能分析第59-62页
     ·单体的织构分析第62-63页
     ·单体A和B的XRD分析第63-65页
   ·结论第65-66页
 参考文献第66-69页
 附图第69-75页
第三章 POSS基杂化交联聚合物的合成与表征第75-97页
   ·前言第75-76页
   ·目标聚合物的设计和合成路线第76-81页
     ·目标聚合物的设计第76-80页
     ·目标聚合物的合成路线第80页
     ·目标聚合物的合成条件选择第80-81页
   ·POSS交联聚合物的合成及结构分析第81-91页
     ·仪器与试剂第81-82页
     ·POSS交联聚合物的合成第82-91页
   ·结论第91-92页
 参考文献第92-97页
第四章 POSS基低介电常数多孔薄膜的制备与性能研究第97-138页
   ·前言第97-98页
   ·实验部分第98-102页
     ·试剂与原料第98-99页
     ·主要仪器第99页
     ·POSS交联聚合物薄膜的制备第99-101页
     ·聚合物薄膜的表征方法第101-102页
   ·结果与讨论第102-125页
     ·制膜工艺的选择第102页
     ·旋涂工艺第102-104页
     ·固化工艺第104-106页
     ·薄膜的热稳定性表征第106-109页
     ·多孔薄膜的氮吸附表征第109-112页
     ·薄膜的聚集态表征第112-113页
     ·薄膜的形貌表征第113-117页
     ·薄膜的力学性能表征第117-119页
     ·薄膜的疏水性能表征第119-121页
     ·薄膜的介电性能表征第121-125页
   ·本章结论第125-127页
 参考文献第127-132页
 附图第132-138页
第五章 结论第138-140页
致谢第140-141页
学习期间发表或提交的论文第141页

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