| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-17页 |
| ·SI纳米线研究的重要意义 | 第9-10页 |
| ·SI纳米线的研究进展 | 第10-11页 |
| ·SI纳米线的物理特性 | 第11-13页 |
| ·Si纳米线的场发射特性 | 第11-12页 |
| ·Si纳米线的光致发光特性 | 第12页 |
| ·Si纳米线热导性能 | 第12-13页 |
| ·SI纳米线的制备方法 | 第13-15页 |
| ·Si纳米线的气-液-固生长 | 第13-15页 |
| ·Si纳米线的固-液-固生长 | 第15页 |
| ·Si纳米线氧化物辅助生长 | 第15页 |
| ·本课题的研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验方法及分析表征 | 第17-22页 |
| ·SI纳米线的生长与掺杂 | 第17-19页 |
| ·衬底清洗 | 第17页 |
| ·Au催化剂的沉积 | 第17-18页 |
| ·高温退火 | 第18页 |
| ·LPCVD生长Si纳米线 | 第18-19页 |
| ·Si纳米线的B掺杂 | 第19页 |
| ·SI纳米线的分析表征方法 | 第19-22页 |
| ·α-台阶仪 | 第19页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| ·X射线能量损失谱(EDS) | 第20页 |
| ·X-射线单晶衍射仪(XRD) | 第20页 |
| ·荧光光谱仪 | 第20-21页 |
| ·四探针测试仪 | 第21-22页 |
| 第3章 SI纳米线的气-液-固生长 | 第22-30页 |
| ·不同工艺条件对SI纳米线形成的影响 | 第22-25页 |
| ·Au膜厚度对Si纳米线生长的影响 | 第22-23页 |
| ·生长温度对Si纳米线生长的影响 | 第23-24页 |
| ·SiH4流量对Si纳米线生长的影响 | 第24-25页 |
| ·生长时间对Si纳米线生长的影响 | 第25页 |
| ·石英衬底上SI纳米线的VLS生长 | 第25-26页 |
| ·SI纳米线的XRD、EDS表征及PL特性分析 | 第26-30页 |
| ·Si纳米线的XRD表征 | 第26-27页 |
| ·Si纳米线的EDS表征 | 第27-28页 |
| ·Si纳米线的PL特性 | 第28-30页 |
| 第4章 SI纳米线的气-液-固生长机制分析 | 第30-36页 |
| ·SI纳米线的形成过程 | 第30-33页 |
| ·Si-Au共晶液滴的形成 | 第30-31页 |
| ·SiH4的分解与Si原子扩散 | 第31-33页 |
| ·Si晶核形成与纳米线的生长 | 第33页 |
| ·SI纳米线的可控生长 | 第33-34页 |
| ·气-液-固生长与固-液-固生长的区别 | 第34-36页 |
| 第5章 SI纳米线的掺杂 | 第36-42页 |
| ·SI纳米线的原位掺杂 | 第36-37页 |
| ·SI纳米线的后扩散掺杂 | 第37-39页 |
| ·温度对Si纳米线掺杂的影响 | 第37-38页 |
| ·扩散时间对Si纳米线掺杂的影响 | 第38-39页 |
| ·SINW(P)/c-SI(N)异质结的制备及Ⅰ-Ⅴ特性测试 | 第39-42页 |
| 第6章 结论 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第50页 |