| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-43页 |
| ·铁电存储器 | 第13-28页 |
| ·非易失性存储器 | 第14-15页 |
| ·半导体存储器的种类 | 第14页 |
| ·半导体存储器发展历程 | 第14-15页 |
| ·铁电存储器及其应用前景 | 第15-18页 |
| ·铁电存储器的优点 | 第15-16页 |
| ·铁电存储器的应用前景 | 第16-18页 |
| ·铁电存储器基本结构及工作原理 | 第18-28页 |
| ·基本结构及工作原理 | 第19-22页 |
| ·单个晶体管(1T)结构 | 第22-24页 |
| ·隧道结(金属-铁电超薄薄膜-金属,MFM)结构 | 第24-28页 |
| ·存储器用铁电薄膜材料 | 第28-36页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第29-32页 |
| ·铁电材料及其分类 | 第29-30页 |
| ·铁电薄膜材料及其宏观特征 | 第30-32页 |
| ·多铁性薄膜材料 | 第32-33页 |
| ·几个主要的材料性能 | 第33-36页 |
| ·电极化开关动力学 | 第33-34页 |
| ·界面效应 | 第34-35页 |
| ·应变效应 | 第35页 |
| ·磁电耦合效应 | 第35-36页 |
| ·铁电存储器的研究现状及存在的问题 | 第36-40页 |
| ·铁电存储器的发展历程及研究现状 | 第36-39页 |
| ·铁电存储器存在的问题 | 第39-40页 |
| ·课题研究的意义和主要内容 | 第40-43页 |
| ·课题的研究目的和意义 | 第40-41页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第41-43页 |
| 第2章 钕钒双掺杂BIT铁电薄膜的制备与电学性能 | 第43-59页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·铁电薄膜的制备工艺与分析测试方法 | 第44-48页 |
| ·铁电薄膜制备方法的基本原理 | 第44页 |
| ·铁电薄膜制备所用仪器设备 | 第44页 |
| ·BNTV制膜所需原材料 | 第44-45页 |
| ·衬底 | 第44页 |
| ·制膜原料 | 第44-45页 |
| ·BNTV铁电薄膜制备工艺 | 第45-46页 |
| ·配置前驱体溶液 | 第45-46页 |
| ·制膜工艺流程 | 第46页 |
| ·测试方法 | 第46-48页 |
| ·微结构测试方法 | 第46-47页 |
| ·电学性能的测试方法 | 第47-48页 |
| ·钕钒双掺杂BIT铁电薄膜的性能 | 第48-58页 |
| ·钕添加量对BNTV薄膜性能的影响 | 第48-56页 |
| ·XRD分析 | 第48-49页 |
| ·电滞回线的测试与分析 | 第49-52页 |
| ·漏电流分析 | 第52-56页 |
| ·外加电信号的频率对BNTV薄膜性能的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第3章 铁电薄膜电容建模 | 第59-76页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·偶极子开关理论 | 第60页 |
| ·经典的PREISACH模型 | 第60-63页 |
| ·经典PREISACH模型简介 | 第60-63页 |
| ·经典PREISACH模型的数学表达 | 第63页 |
| ·铁电电容模型 | 第63-70页 |
| ·铁电电容中的电极化强度 | 第63-65页 |
| ·分布函数积分(DFIM)法在PREISACH模型中的应用 | 第65-70页 |
| ·模型的验证 | 第70-75页 |
| ·模拟结果与实验的比较 | 第70-74页 |
| ·非饱和电滞回线 | 第71-72页 |
| ·饱和电滞回线 | 第72-74页 |
| ·非传统测量条件下的电滞回线 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第4章 钙钛矿铁电薄膜中的非线性本构关系 | 第76-88页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·电载荷下的本构方程 | 第77-78页 |
| ·铁电电容模型的扩展 | 第78-81页 |
| ·基于偶极子开关理论改进的PREISACH模型 | 第78-80页 |
| ·基于改进的PREISACH模型的本构方程 | 第80-81页 |
| ·模型的验证 | 第81-83页 |
| ·本征缺陷和注入电荷作用下的失效模拟 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 钙钛矿铁电薄膜疲劳失效机制 | 第88-102页 |
| ·引言 | 第88-91页 |
| ·氧空位电迁移机制简介 | 第91-92页 |
| ·局部相分解模型的建立 | 第92-96页 |
| ·铁电电容介电疲劳模型 | 第94-95页 |
| ·铁电电容极化疲劳模型 | 第95-96页 |
| ·电压、温度和频率对极化疲劳的影响 | 第96-99页 |
| ·减小疲劳失效的方法 | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第6章 铁电场效应晶体管的印记失效 | 第102-113页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·单晶体管型铁电存储器件模型的建立 | 第103-106页 |
| ·金属-铁电界面死层对器件性能的影响 | 第106-109页 |
| ·金属-铁电界面死层对铁电电容的影响 | 第109-111页 |
| ·铁电电容界面死层的研究现状 | 第109页 |
| ·含有界面死层的铁电电容模型 | 第109-110页 |
| ·界面层厚度对印记失效的影响 | 第110-111页 |
| ·减小印记的方法 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第7章 新型八逻辑隧道结铁电存储器建模 | 第113-127页 |
| ·引言 | 第113-115页 |
| ·隧道结铁电存储器件建模 | 第115-118页 |
| ·八个逻辑阻态分析 | 第118-120页 |
| ·极化、半磁分裂、势垒宽度和偏压对隧穿电导的影响 | 第120-122页 |
| ·隧道结八逻辑存储器件工作原理 | 第122-123页 |
| ·电控磁化在新型器件中的应用 | 第123-126页 |
| ·电场诱生磁极化模型 | 第123-124页 |
| ·电控磁化模型的应用 | 第124-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第8章 总结与展望 | 第127-130页 |
| 参考文献 | 第130-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 附录A 复合材料的有效本构系数和磁极化公式的推导过程 | 第148-156页 |
| A.1 求复合材料本构系数的有效值 | 第148-153页 |
| A.2 求复合材料的有效磁极化值 | 第153-156页 |
| 论文发表情况及其成果 | 第156-157页 |
| 一、论文发表 | 第156-157页 |
| 二、发明专利 | 第157页 |