| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-30页 |
| ·钍的概况 | 第9-11页 |
| ·钍的分离富集方法 | 第11-20页 |
| ·分子(离子)印迹技术 | 第20-28页 |
| ·课题的提出及本论文的研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 含吡唑衍生物表面钍(IV)离子印迹聚合物的制备及固相萃取性能研究 | 第30-52页 |
| ·实验部分 | 第30-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-50页 |
| ·结论 | 第50-52页 |
| 第3章 含甲基丙烯酸钍(IV)离子印迹聚合物的制备及性能研究 | 第52-67页 |
| ·实验部分 | 第52-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-66页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-80页 |
| 成果目录 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |