摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-13页 |
第一章 绪论 | 第13-44页 |
·金刚石薄膜的性能及应用 | 第13-14页 |
·纳米金刚石薄膜的性能 | 第14-21页 |
·纳米材料的通性 | 第15-17页 |
·纳米金刚石的特性 | 第17-19页 |
·纳米金刚石薄膜的应用 | 第19-21页 |
·金刚石薄膜辐射探测器 | 第21-24页 |
·X 射线光刻技术(XRL) | 第24-28页 |
·XRL 的发展历史 | 第24-25页 |
·XRL 掩模结构和特点 | 第25-26页 |
·XRL 掩模材料 | 第26-28页 |
·强磁场特性及应用 | 第28-32页 |
·强磁场的特性 | 第28页 |
·强磁场在材料制备过程中的应用 | 第28-32页 |
·论文研究的目的、意义及主要研究内容 | 第32-33页 |
·论文研究的目的和意义 | 第32-33页 |
·主要研究内容 | 第33页 |
参考文献 | 第33-44页 |
第二章 纳米金刚石薄膜的制备和性能表征 | 第44-64页 |
·引言 | 第44页 |
·纳米金刚石薄膜生长机理 | 第44-46页 |
·纳米金刚石薄膜制备过程 | 第46-47页 |
·纳米金刚石薄膜质量影响因素 | 第47-49页 |
·试验参数 | 第49-51页 |
·纳米金刚石薄膜表征 | 第51-61页 |
·纳米金刚石膜形貌结构表征 | 第51-58页 |
·纳米金刚石膜光学性能表征 | 第58-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第三章 纳米金刚石薄膜辐射探测器工艺及性能表征 | 第64-90页 |
·引言 | 第64页 |
·探测器的性能指标 | 第64-67页 |
·探测效率 | 第64-65页 |
·输出脉冲幅度大小 | 第65页 |
·分辨率 | 第65-66页 |
·线性响应 | 第66页 |
·稳定性 | 第66-67页 |
·纳米金刚石薄膜辐射探测器的制备 | 第67-76页 |
·探测器用纳米金刚石薄膜 | 第67-68页 |
·探测器电极的模拟优化设计 | 第68-72页 |
·纳米金刚石薄膜辐射探测器的制备 | 第72-76页 |
·探测器电极掩膜版的设计 | 第72-75页 |
·辐射探测器的制备工艺 | 第75-76页 |
·纳米金刚石薄膜辐射探测器的性能表征 | 第76-87页 |
·X 射线与物质的相互作用 | 第76-82页 |
·纳米金刚石薄膜辐射探测器的电流-电压特性 | 第82-85页 |
·纳米金刚石薄膜探测器的脉冲高度光谱 | 第85-87页 |
·本章小结 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-90页 |
第四章 氢刻蚀对纳米金刚石薄膜电学和光学性能的影响 | 第90-110页 |
·引言 | 第90-91页 |
·工艺参数的改进 | 第91-92页 |
·薄膜基本性能的表征 | 第92-95页 |
·扫描电子显微镜表征 | 第92-93页 |
·原子力显微镜表征 | 第93-94页 |
·拉曼光谱表征 | 第94-95页 |
·薄膜光学性能的表征 | 第95-103页 |
·红外光谱表征 | 第95-96页 |
·椭圆偏振光谱仪测试 | 第96-98页 |
·X 射线透过率的测量 | 第98-103页 |
·薄膜电学性能的表征 | 第103-106页 |
·薄膜I-V 性能分析 | 第103-104页 |
·电容、频率损耗的测量 | 第104-106页 |
·小结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-110页 |
第五章 强磁场下纳米金刚石薄膜性能表征 | 第110-129页 |
·引言 | 第110-111页 |
·适应强磁场腔体的热丝CVD 装置的设计 | 第111-118页 |
·适应强磁场腔体的热丝CVD 装置 | 第111-112页 |
·适应强磁场腔体的热丝CVD 装置中的几个关键技术 | 第112-118页 |
·强磁场下纳米金刚石薄膜的制备 | 第118-121页 |
·困难及改进措施 | 第118-120页 |
·强磁场下纳米金刚石薄膜的沉积 | 第120-121页 |
·强磁场对纳米金刚石薄膜性能影响 | 第121-122页 |
·强磁场下纳米金刚石薄膜沉积机理 | 第122-127页 |
·纳米金刚石薄膜沉积机理 | 第122-126页 |
·强磁场作用原理 | 第126-127页 |
·本章小结 | 第127页 |
参考文献 | 第127-129页 |
第六章 结论与展望 | 第129-133页 |
·结论 | 第129-131页 |
·展望 | 第131-133页 |
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第133-134页 |
作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第134-135页 |
致谢 | 第135页 |