| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT的发展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 三种IGBT的结构 | 第10-12页 |
| 1.2.2 三种IGBT对比 | 第12-13页 |
| 1.3 新结构的IGBT | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 IGBT基本理论与SENTAURUS简介 | 第15-30页 |
| 2.1 Trench-FS IGBT的结构 | 第15-16页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第16-23页 |
| 2.2.1 正向阻断特性 | 第17-18页 |
| 2.2.2 反向阻断特性 | 第18-19页 |
| 2.2.3 正向导通特性 | 第19-21页 |
| 2.2.4 Trench-FS IGBT电流饱和特性 | 第21-23页 |
| 2.3 IGBT的动态特性 | 第23-26页 |
| 2.3.1 开通过程 | 第24-25页 |
| 2.3.2 关断过程 | 第25-26页 |
| 2.4 Sentaurus简介 | 第26-29页 |
| 2.4.1 各部分功能简介 | 第26-27页 |
| 2.4.2 主要物理模型 | 第27-28页 |
| 2.4.3 模型收敛性问题 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 各部分参数对器件性能影响 | 第30-44页 |
| 3.1 栅极对器件性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.2 P-base区参数对器件性能影响 | 第33-38页 |
| 3.3 外延层参数对器件性能的影响 | 第38-42页 |
| 3.4 Collector端P+集电极区对器件性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 FS-TRENCH-IGBT设计及工艺仿真 | 第44-51页 |
| 4.1 工艺流程设计 | 第44-47页 |
| 4.2 工艺仿真 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小节 | 第50-51页 |
| 第5章 器件电学特性仿真与结构改进 | 第51-61页 |
| 5.1 测试电路 | 第51-53页 |
| 5.2 器件电学性能 | 第53-56页 |
| 5.3 MOS沟道变掺(Gradual)和均匀掺杂(Const)的对比 | 第56-60页 |
| 5.4 本章小节 | 第60-61页 |
| 第6章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
