| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号表 | 第21-22页 |
| 1 绪论 | 第22-39页 |
| 1.1 低温等离子体在芯片加工中的应用与面临的挑战 | 第22-25页 |
| 1.2 容性耦合等离子体涉及的若干问题 | 第25-29页 |
| 1.3 容性耦合硅烷等离子体应用与研究进展 | 第29-33页 |
| 1.4 容性耦合硅烷等离子体中的尘埃研究进展 | 第33-37页 |
| 1.5 本文研究内容与安排 | 第37-39页 |
| 2 容性耦合SiH_4/N_2O/Ar等离子体中的化学反应机理 | 第39-77页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 流体力学模型 | 第40-44页 |
| 2.2.1 流体力学方程 | 第40-42页 |
| 2.2.2 边界条件 | 第42-43页 |
| 2.2.3 流体的数值算法 | 第43-44页 |
| 2.3 SiH_4/N_2O/Ar等离子体化学反应模型 | 第44-51页 |
| 2.4 模拟有效性的验证 | 第51-53页 |
| 2.5 模拟结果与讨论 | 第53-75页 |
| 2.5.1 粒子密度的空间分布 | 第53-57页 |
| 2.5.2 Ar含量对等离子体特性的影响 | 第57-66页 |
| 2.5.3 SiH_4含量对等离子体特性的影响 | 第66-73页 |
| 2.5.4 粘附系数对等离子体特性的影响 | 第73-75页 |
| 2.6 本章小结 | 第75-77页 |
| 3 介质层对SiH_4/N_2/O_2等离子体特性的影响 | 第77-101页 |
| 3.1 引言 | 第77-78页 |
| 3.2 SiH_4/N_2/O_2化学反应模型 | 第78-84页 |
| 3.3 介质层模型 | 第84-85页 |
| 3.4 模拟结果与讨论 | 第85-99页 |
| 3.4.1 SiH_4/N_2/O_2等离子体中的各粒子密度 | 第86-88页 |
| 3.4.2 介质层对等离子体均匀性的影响 | 第88-92页 |
| 3.4.3 气相化学反应中的前驱物 | 第92-99页 |
| 3.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 4 脉冲调制射频SiH_4/N_2/O_2等离子体特性研究 | 第101-118页 |
| 4.1 引言 | 第101-102页 |
| 4.2 模拟结果 | 第102-116页 |
| 4.2.1 脉冲等离子体的瞬态特性 | 第102-109页 |
| 4.2.2 脉冲参数对等离子体均匀性的控制 | 第109-116页 |
| 4.3 本章小结 | 第116-118页 |
| 5 容性耦合硅烷等离子体中的尘埃颗粒研究 | 第118-137页 |
| 5.1 引言 | 第118-119页 |
| 5.2 模型介绍 | 第119-122页 |
| 5.2.1 流体/MC方法 | 第119页 |
| 5.2.2 尘埃充电 | 第119-120页 |
| 5.2.3 尘埃颗粒的输运方程 | 第120-121页 |
| 5.2.4 模型计算过程 | 第121-122页 |
| 5.3 模拟结果和讨论 | 第122-136页 |
| 5.3.1 尘埃颗粒尺寸大小对等离子体特性的影响 | 第122-126页 |
| 5.3.2 尘埃等离子体中的加热机制 | 第126-131页 |
| 5.3.3 尘埃颗粒的输运过程 | 第131-136页 |
| 5.4 本章小结 | 第136-137页 |
| 6 结论与展望 | 第137-141页 |
| 6.1 主要结论 | 第137-139页 |
| 6.2 创新点 | 第139页 |
| 6.3 展望 | 第139-141页 |
| 参考文献 | 第141-155页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第155-156页 |
| 致谢 | 第156-157页 |
| 作者简介 | 第157页 |
