| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 TCO薄膜的研究进展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 n型TCO薄膜的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 p型TCO薄膜的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 SnO_2薄膜的p型掺杂 | 第13-16页 |
| 1.3.1 SnO_2薄膜特性 | 第13-14页 |
| 1.3.2 SnO_2的p型掺杂机理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 p型SnO_2薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.4 同质结的理论基础及研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4.1 p-n结的理论基础 | 第17-18页 |
| 1.4.2 TCO薄膜p-n结的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 研究目的及内容 | 第19-20页 |
| 第2章 样品的制备与表征 | 第20-31页 |
| 2.1 实验准备 | 第20-23页 |
| 2.1.1 ATO靶材的制备 | 第20-22页 |
| 2.1.2 衬底的选择与清洗 | 第22-23页 |
| 2.2 磁控溅射制备ATO薄膜 | 第23-26页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 磁控溅射成膜的影响因素 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜的热处理 | 第25页 |
| 2.2.4 磁控溅射ATO薄膜制备工艺流程 | 第25-26页 |
| 2.3 ATO薄膜的结构与性能表征 | 第26-31页 |
| 2.3.1 薄膜厚度 | 第26-27页 |
| 2.3.2 薄膜晶体结构 | 第27页 |
| 2.3.3 薄膜的表面形貌、成分、价态分析 | 第27页 |
| 2.3.4 薄膜的光学性能 | 第27-28页 |
| 2.3.5 薄膜的电学性能 | 第28-29页 |
| 2.3.6 薄膜的缺陷 | 第29-31页 |
| 第3章 石英玻璃基p型ATO薄膜的制备与性能研究 | 第31-65页 |
| 3.1 不同Sb掺杂含量对SnO_2薄膜结构及性能的影响 | 第31-47页 |
| 3.1.1 Sb掺杂含量对SnO_2薄膜的物相结构与显微形貌的影响分析 | 第32-39页 |
| 3.1.2 Sb掺杂含量对SnO_2薄膜的化学组成和化学结构影响分析 | 第39-41页 |
| 3.1.3 Sb掺杂含量对SnO_2薄膜的电学性能影响分析 | 第41-43页 |
| 3.1.4 Sb掺杂含量对SnO_2薄膜的光学性能影响分析 | 第43-47页 |
| 3.2 不同厚度对ATO薄膜结构及性能的影响 | 第47-54页 |
| 3.2.1 膜厚对ATO薄膜的物相结构与显微形貌的影响分析 | 第48-50页 |
| 3.2.2 膜厚对ATO薄膜的电学性能影响分析 | 第50-51页 |
| 3.2.3 膜厚对ATO薄膜的光学性能影响分析 | 第51-52页 |
| 3.2.4 ATO薄膜的化学组成和化学结构分析 | 第52-54页 |
| 3.3 不同制度热处理对ATO薄膜结构及性能的影响 | 第54-65页 |
| 3.3.1 热处理对ATO薄膜的物相结构与显微形貌的影响分析 | 第55-58页 |
| 3.3.2 热处理对ATO薄膜的电学性能影响分析 | 第58-59页 |
| 3.3.3 热处理对ATO薄膜的光学性能影响分析 | 第59-62页 |
| 3.3.4 热处理对ATO薄膜缺陷的影响分析 | 第62-65页 |
| 第4章 普通玻璃基p型ATO薄膜的结构与性能研究 | 第65-81页 |
| 4.1 不同厚度Si膜阻挡层对ATO薄膜结构及性能的影响 | 第66-70页 |
| 4.1.1 不同厚度Si膜对ATO薄膜结构的影响分析 | 第66-67页 |
| 4.1.2 不同厚度Si膜对ATO薄膜光学性能的影响分析 | 第67-68页 |
| 4.1.3 不同厚度Si膜对ATO薄膜电学性能的影响分析 | 第68-69页 |
| 4.1.4 ATO薄膜光电性能基于不同厚度Si膜的综合评价 | 第69-70页 |
| 4.2 不同温度热处理对ATO/Si薄膜结构及性能的影响 | 第70-76页 |
| 4.2.1 热处理温度对ATO/Si薄膜的物相结构与显微形貌的影响分析 | 第70-72页 |
| 4.2.2 热处理温度对ATO/Si薄膜化学组成和化学结构的影响分析 | 第72-74页 |
| 4.2.3 热处理温度对ATO/Si薄膜电学性能的影响分析 | 第74-75页 |
| 4.2.4 热处理温度对ATO/Si薄膜光学性能的影响分析 | 第75-76页 |
| 4.3 SiO_2阻挡层对ATO薄膜结构及性能的影响 | 第76-81页 |
| 4.3.1 SiO_2阻挡层对ATO薄膜的物相结构和显微形貌的影响分析 | 第76-78页 |
| 4.3.2 SiO_2阻挡层对ATO薄膜电学性能的影响分析 | 第78-79页 |
| 4.3.3 SiO_2阻挡层对ATO薄膜光学性能的影响分析 | 第79-80页 |
| 4.3.4 ATO薄膜光电性能基于不同阻挡层的综合评价 | 第80-81页 |
| 第5章 p-ATO/n-ATO同质结的制备与研究 | 第81-87页 |
| 5.1 石英玻璃基同质结的制备与研究 | 第82-84页 |
| 5.1.1 石英玻璃基p-ATO/n-ATO同质结的电学性能分析 | 第82-84页 |
| 5.1.2 石英玻璃基p-ATO/n-ATO同质结的光学性能分析 | 第84页 |
| 5.2 普通玻璃基同质结的制备与研究 | 第84-87页 |
| 5.2.1 普通玻璃基p-ATO/n-ATO同质结的电学性能分析 | 第84-85页 |
| 5.2.2 普通玻璃基p-ATO/n-ATO同质结的光学性能分析 | 第85-87页 |
| 第6章 结论 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-98页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第98页 |
