| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第13-15页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第13-14页 |
| 1.1.2 研究的目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.2 一维半导体纳米线 | 第15-20页 |
| 1.2.1 材料特性 | 第15-18页 |
| 1.2.2 制备技术 | 第18-20页 |
| 1.2.3 性能表征 | 第20页 |
| 1.3 一维半导体纳米线研究现状 | 第20-29页 |
| 1.3.1 一维半导体同质结构纳米线 | 第21-24页 |
| 1.3.2 一维半导体异质结构纳米线 | 第24-29页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第29-30页 |
| 第2章 一维半导体纳米线生长理论研究 | 第30-47页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 一维半导体纳米线的催化辅助生长 | 第31-35页 |
| 2.2.1 催化辅助气-液-固生长 | 第31-32页 |
| 2.2.2 催化辅助气-液-固生长理论模型 | 第32-35页 |
| 2.3 一维半导体纳米线的自催化生长 | 第35-38页 |
| 2.3.1 自催化气-液-固生长 | 第35-36页 |
| 2.3.2 自催化气-液-固生长理论模型 | 第36-38页 |
| 2.4 一维半导体纳米线的异质结构生长 | 第38-44页 |
| 2.4.1 纵向异质结构生长 | 第39-42页 |
| 2.4.2 横向异质结构生长 | 第42-44页 |
| 2.5 一维半导体纳米线的异质基底生长 | 第44-46页 |
| 2.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 催化辅助一维半导体纳米线实验与机理研究 | 第47-65页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 基底掺杂对催化辅助GaAs纳米线生长影响的研究 | 第48-52页 |
| 3.2.1 GaAs纳米线在不同掺杂基底上的生长实验 | 第48-49页 |
| 3.2.2 实验结果与机理分析 | 第49-52页 |
| 3.3 V/III对催化辅助GaAs纳米线生长影响的研究 | 第52-58页 |
| 3.3.1 GaAs纳米线在不同V/III下的生长实验 | 第52-53页 |
| 3.3.2 实验结果与机理分析 | 第53-58页 |
| 3.4 生长时间对催化辅助GaAs纳米线生长影响的研究 | 第58-64页 |
| 3.4.1 GaAs纳米线在不同生长时间下的实验 | 第58页 |
| 3.4.2 实验结果与机理分析 | 第58-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 自催化一维半导体纳米线生长实验与机理研究 | 第65-78页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 自催化InP纳米线生长的研究 | 第66-69页 |
| 4.2.1 自催化InP纳米线的生长实验 | 第66-67页 |
| 4.2.2 实验结果与机理分析 | 第67-69页 |
| 4.3 V/III对自催化InP纳米线生长影响的研究 | 第69-73页 |
| 4.3.1 InP纳米线在不同V/III下的生长实验 | 第69-70页 |
| 4.3.2 实验结果与机理分析 | 第70-73页 |
| 4.4 生长温度对自催化InP纳米线生长影响的研究 | 第73-77页 |
| 4.4.1 InP纳米线在不同生长温度下的实验 | 第73-74页 |
| 4.4.2 实验结果与机理分析 | 第74-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 一维半导体异质结构纳米线实验与机理研究 | 第78-108页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 V/III对GaAs/InAs纵向异质结构纳米线生长影响的研究 | 第79-85页 |
| 5.2.1 GaAs/InAs纵向异质结构纳米线的生长实验 | 第79-80页 |
| 5.2.2 实验结果与机理分析 | 第80-85页 |
| 5.3 V/III对GaAs/InP纵向异质结构纳米线生长影响的研究 | 第85-92页 |
| 5.3.1 GaAs/InP纵向异质结构纳米线的生长实验 | 第85-86页 |
| 5.3.2 实验结果与机理分析 | 第86-92页 |
| 5.4 生长温度对GaAs/InAs横向异质结构纳米线生长影响的研究 | 第92-101页 |
| 5.4.1 GaAs/InAs横向异质结构纳米线的生长实验 | 第92-94页 |
| 5.4.2 实验结果与机理分析 | 第94-101页 |
| 5.5 生长温度对GaAs/InP横向异质结构纳米线生长影响的研究 | 第101-107页 |
| 5.5.1 GaAs/InP横向异质结构纳米线的生长实验 | 第101-102页 |
| 5.5.2 实验结果与机理分析 | 第102-107页 |
| 5.6 本章小结 | 第107-108页 |
| 第6章 一维半导体纳米线异质基底生长实验与机理研究 | 第108-124页 |
| 6.1 引言 | 第108-109页 |
| 6.2 一维半导体纳米线InAs在GaAs异质基底上生长的研究 | 第109-113页 |
| 6.2.1 InAs纳米线在GaAs异质基底上的生长实验 | 第109-110页 |
| 6.2.2 实验结果与机理分析 | 第110-113页 |
| 6.3 一维半导体纳米线InP在GaAs异质基底上生长的研究 | 第113-117页 |
| 6.3.1 InP纳米线在GaAs异质基底上的生长实验 | 第113页 |
| 6.3.2 实验结果与机理分析 | 第113-117页 |
| 6.4 一维半导体纳米线GaAs在硅异质基底上生长的研究 | 第117-120页 |
| 6.4.1 GaAs纳米线在硅异质基底上的生长实验 | 第117-118页 |
| 6.4.2 实验结果与机理分析 | 第118-120页 |
| 6.5 一维半导体纳米线GaP在硅异质基底上生长的研究 | 第120-123页 |
| 6.5.1 GaP纳米线在硅异质基底上的生长实验 | 第120-121页 |
| 6.5.2 实验结果与机理分析 | 第121-123页 |
| 6.6 本章小结 | 第123-124页 |
| 结论 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-141页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143页 |
