| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体光催化技术研究概述 | 第10-12页 |
| 1.2.1 半导体光催化技术简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体光催化原理 | 第11-12页 |
| 1.3 光催化技术的应用 | 第12-14页 |
| 1.3.1 光催化二氧化碳转化 | 第12-13页 |
| 1.3.2 光催化分解水制氢 | 第13-14页 |
| 1.4 半导体光催化材料 | 第14-15页 |
| 1.4.1 半导体光催化剂的分类 | 第14页 |
| 1.4.2 可见光催化材料的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.5 纳米g-C_3N_4材料的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.5.1 g-C_3N_4的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.5.2 纳米g-C_3N_4在光催化方面的应用 | 第16-17页 |
| 1.5.3 表面修饰对g-C_3N_4材料的改性 | 第17-18页 |
| 1.6 课题的立项依据及研究内容 | 第18-20页 |
| 1.6.1 课题的立题依据 | 第18-19页 |
| 1.6.2 研究内容及意义 | 第19-20页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第20-27页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第20-22页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2 催化剂的表征方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X-射线衍射 | 第22页 |
| 2.2.2 紫外-可见分光光度计 | 第22-23页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第23页 |
| 2.2.4 原子吸收光谱仪 | 第23页 |
| 2.2.5 稳态表面光电压谱 | 第23-24页 |
| 2.2.6 红外光谱仪 | 第24页 |
| 2.2.7 瞬态表面光电压谱 | 第24-25页 |
| 2.3 程序升温脱附 | 第25-26页 |
| 2.4 光催化测试 | 第26-27页 |
| 第3章 硼酸-贵金属修饰对g-C_3N_4光催化性能的影响 | 第27-42页 |
| 3.1 前言 | 第27-28页 |
| 3.2 实验部分 | 第28-29页 |
| 3.2.1 材料的合成 | 第28-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-41页 |
| 3.3.1 Pt-XB-CN 系列样品的结构表征 | 第29-30页 |
| 3.3.2 光生电荷分离性质 | 第30-31页 |
| 3.3.3 可见光光催化活性测试 | 第31-33页 |
| 3.3.4 机制分析 | 第33-36页 |
| 3.3.5 不同贵金属修饰的g-C_3N_4的电荷分离的影响 | 第36-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 硼酸-过渡金属修饰g-C_3N_4光催化性能的影响 | 第42-71页 |
| 4.1 前言 | 第42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-70页 |
| 4.3.1 Ni-5B-CN 纳米复合体的结构表征 | 第43-50页 |
| 4.3.2 光催化活性 | 第50-52页 |
| 4.3.3 光生电荷分离性质 | 第52-55页 |
| 4.3.4 机制分析 | 第55-64页 |
| 4.3.5 硼酸修饰对g-C_3N_4的电荷分离的影响 | 第64-65页 |
| 4.3.6 不同过渡金属修饰的g-C_3N_4的电荷分离的影响 | 第65-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第82-83页 |
