氮化镓HEMT在工业变频器上的应用研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 第二章 氮化镓HEMT的特性分析 | 第13-23页 |
| 2.1 氮化镓材料特性简述 | 第13页 |
| 2.2 氮化镓HEMT | 第13-15页 |
| 2.3 耗尽型氮化镓HEMT | 第15-18页 |
| 2.4 增强型氮化镓HEMT | 第18-21页 |
| 2.5 两种氮化镓HEMT特性的对比 | 第21-23页 |
| 第三章 采用氮化镓HEMT的电路设计 | 第23-53页 |
| 3.1 设计指标 | 第23页 |
| 3.2 具体选型 | 第23-24页 |
| 3.3 电路设计 | 第24-51页 |
| 3.3.1 电路拓扑 | 第24-25页 |
| 3.3.2 载波频率设定 | 第25页 |
| 3.3.3 栅极驱动电路 | 第25-30页 |
| 3.3.4 PCB走线 | 第30-32页 |
| 3.3.5 功耗评估 | 第32-38页 |
| 3.3.6 散热设计 | 第38-45页 |
| 3.3.7 输出LC正弦滤波器 | 第45-51页 |
| 3.3.7.1 输出电抗器(滤波器)的作用 | 第45-46页 |
| 3.3.7.2 输出正弦滤波器设计 | 第46-51页 |
| 3.4 整机功耗测试 | 第51-53页 |
| 第四章 采用传统IGBT的电路设计 | 第53-63页 |
| 4.1 设计指标 | 第53页 |
| 4.2 电路设计 | 第53-61页 |
| 4.2.1 电路拓扑 | 第53-54页 |
| 4.2.2 载波频率设定 | 第54页 |
| 4.2.3 门极驱动电路 | 第54页 |
| 4.2.4 输出滤波器 | 第54-55页 |
| 4.2.5 功耗评估 | 第55-60页 |
| 4.2.6 散热设计 | 第60-61页 |
| 4.3 功耗测试 | 第61-63页 |
| 第五章 两种方案中各项指标对比 | 第63-75页 |
| 5.1 功率半导体器件的开关速度 | 第63-64页 |
| 5.2 整机尺寸对比 | 第64-65页 |
| 5.3 输出波形对比 | 第65-69页 |
| 5.4 功耗对比 | 第69-71页 |
| 5.5 电磁兼容探讨 | 第71-72页 |
| 5.6 简单的成本分析 | 第72-75页 |
| 第六章 总结 | 第75-77页 |
| 6.1 主要工作内容 | 第75页 |
| 6.2 研究结果总结 | 第75-76页 |
| 6.3 仍然存在的问题 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 作者简介 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
