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氮化镓HEMT在工业变频器上的应用研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 引言第9-13页
第二章 氮化镓HEMT的特性分析第13-23页
    2.1 氮化镓材料特性简述第13页
    2.2 氮化镓HEMT第13-15页
    2.3 耗尽型氮化镓HEMT第15-18页
    2.4 增强型氮化镓HEMT第18-21页
    2.5 两种氮化镓HEMT特性的对比第21-23页
第三章 采用氮化镓HEMT的电路设计第23-53页
    3.1 设计指标第23页
    3.2 具体选型第23-24页
    3.3 电路设计第24-51页
        3.3.1 电路拓扑第24-25页
        3.3.2 载波频率设定第25页
        3.3.3 栅极驱动电路第25-30页
        3.3.4 PCB走线第30-32页
        3.3.5 功耗评估第32-38页
        3.3.6 散热设计第38-45页
        3.3.7 输出LC正弦滤波器第45-51页
            3.3.7.1 输出电抗器(滤波器)的作用第45-46页
            3.3.7.2 输出正弦滤波器设计第46-51页
    3.4 整机功耗测试第51-53页
第四章 采用传统IGBT的电路设计第53-63页
    4.1 设计指标第53页
    4.2 电路设计第53-61页
        4.2.1 电路拓扑第53-54页
        4.2.2 载波频率设定第54页
        4.2.3 门极驱动电路第54页
        4.2.4 输出滤波器第54-55页
        4.2.5 功耗评估第55-60页
        4.2.6 散热设计第60-61页
    4.3 功耗测试第61-63页
第五章 两种方案中各项指标对比第63-75页
    5.1 功率半导体器件的开关速度第63-64页
    5.2 整机尺寸对比第64-65页
    5.3 输出波形对比第65-69页
    5.4 功耗对比第69-71页
    5.5 电磁兼容探讨第71-72页
    5.6 简单的成本分析第72-75页
第六章 总结第75-77页
    6.1 主要工作内容第75页
    6.2 研究结果总结第75-76页
    6.3 仍然存在的问题第76-77页
参考文献第77-78页
作者简介第78-80页
致谢第80页

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