| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体光电探测研究基础 | 第12-17页 |
| 1.2.1 半导体光电探测原理 | 第12-15页 |
| 1.2.2 半导体光电探测器的分类和应用 | 第15页 |
| 1.2.3 半导体光电探测器的性能参数 | 第15-17页 |
| 1.2.4 本节小结 | 第17页 |
| 1.3 薄膜晶体管研究基础 | 第17-22页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的工作机制 | 第17-19页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的性能参数 | 第19-22页 |
| 1.3.3 本节小结 | 第22页 |
| 1.4 表面等离激元光子学 | 第22-31页 |
| 1.4.1 表面等离激元概念及原理 | 第23-27页 |
| 1.4.2 表面等离激元的数值计算方法 | 第27-29页 |
| 1.4.3 表面等离激元特征与应用 | 第29-30页 |
| 1.4.4 本节小结 | 第30-31页 |
| 1.5 表面等离激元热电子探测机制 | 第31-36页 |
| 1.5.1 表面等离激元热电子概念及原理 | 第31-33页 |
| 1.5.2 等离激元诱导热电子在光电探测领域相关研究应用 | 第33-36页 |
| 1.6 本文的研究目的和主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 器件制备方法及表征手段 | 第38-48页 |
| 2.1 薄膜制备工艺 | 第38-42页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第38-39页 |
| 2.1.2 真空热蒸发 | 第39-41页 |
| 2.1.3 紫外光刻 | 第41-42页 |
| 2.2 薄膜及器件表征及测试手段 | 第42-48页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第43-44页 |
| 2.2.3 光谱椭偏仪 | 第44-45页 |
| 2.2.4 紫外可见分光光度计 | 第45-46页 |
| 2.2.5 器件性能测试 | 第46-48页 |
| 第三章 AuNPs/ZnO复合薄膜及MSM型光电探测器制备与特性研究 | 第48-65页 |
| 3.1 ZnO薄膜的制备及表征 | 第48-55页 |
| 3.1.1 实验样品制备 | 第48-49页 |
| 3.1.2 器件形貌及光学性能测试 | 第49-50页 |
| 3.1.3 器件电学性能测试 | 第50-52页 |
| 3.1.4 薄膜制备方法改进 | 第52-53页 |
| 3.1.5 高温退火对薄膜性能的影响 | 第53-55页 |
| 3.2 AuNPs/ZnO复合薄膜的制备及表征 | 第55-63页 |
| 3.2.1 金纳米颗粒(AuNPs)的制备及表征 | 第55-57页 |
| 3.2.2 AuNPs/ZnO复合薄膜的制备及表征 | 第57-60页 |
| 3.2.3 基于叉指电极测试的AuNPs/ZnO复合薄膜光电探测器件的制备及表征 | 第60-63页 |
| 3.3 ZnO薄膜晶体管的制备及表征 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 金纳米颗粒修饰的IGZOTFT制备及其特性 | 第65-83页 |
| 4.1 IGZO薄膜有源层制备条件对器件性能的影响 | 第66-69页 |
| 4.1.1 溅射气体氛围和退火温度对薄膜性能的影响 | 第66-67页 |
| 4.1.2 溅射时间(薄膜厚度)对薄膜性能的影响 | 第67-69页 |
| 4.2 基于薄膜晶体管的IGZO热电子探测器的制备和表征 | 第69-77页 |
| 4.2.1 IGZOTFT的制备和表征 | 第69-70页 |
| 4.2.2 修饰有金纳米颗粒的IGZO薄膜晶体管的制备和表征 | 第70-72页 |
| 4.2.3 工艺改进后IGZO/AuNPs薄膜晶体管的制备和表征 | 第72-76页 |
| 4.2.4 不同沟道长宽比对薄膜晶体管性能的影响 | 第76-77页 |
| 4.3 基于金属背栅的IGZO热电子探测器的相关模拟研究 | 第77-82页 |
| 4.3.1 模型建立 | 第77-78页 |
| 4.3.2 模拟结果分析 | 第78-80页 |
| 4.3.3 金属栅极相关光学模拟 | 第80-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第83-84页 |
| 5.2 研究展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 作者简介 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
