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几种低维V、VI族热电材料的微波合成与表征

摘要第1-5页
Abstract第5-14页
第一章 绪论第14-28页
   ·热电学的基本原理第15-17页
     ·Seebeck 效应第15-16页
     ·Peltier 效应第16页
     ·Thomson 效应第16-17页
   ·表征热电性能的物理参数第17-19页
     ·Seebeck 系数a第17-18页
     ·电导率σ第18页
     ·热导率κ第18-19页
     ·热电性能指数(ZT)第19页
   ·低维Ⅴ、Ⅵ族热电材料的研究进展第19-25页
     ·二维纳米薄膜研究进展第20-21页
     ·一维纳米线、纳米管、纳米棒的研究进展第21-24页
     ·准零维纳米颗粒研究进展第24-25页
     ·低维纳米复合结构研究进展第25页
   ·微波辅助合成方法第25-27页
   ·本论文选题意义及主要内容第27-28页
第二章 微波辅助离子液体合成Bi2Te3第28-51页
   ·引言第28-29页
   ·实验第29-33页
     ·仪器与药品第29页
     ·实验过程第29-33页
     ·样品的测试与表征第33页
   ·结果和讨论第33-46页
     ·离子液体对比实验第33-37页
     ·微波加热时间对产物的影响第37-38页
     ·离子液体加入量不同对产物的影响第38-40页
     ·溶剂类型的影响第40-41页
     ·酸性环境合成第41-43页
     ·二步法合成第43-44页
     ·溶剂热法对照第44-46页
   ·机理分析第46-48页
   ·热电性能第48-50页
   ·本章小结第50-51页
第三章 微波辅助合成Sb_2Se_3第51-69页
   ·引言第51页
   ·实验第51-54页
     ·仪器与药品第51-52页
     ·实验过程第52-53页
     ·样品的测试与表征第53-54页
   ·结果和讨论第54-62页
     ·不同加热时间对反应过程的影响第54-58页
     ·不同Se 源的对比第58-60页
     ·溶剂热法对照第60-62页
   ·生长机理第62-67页
     ·Sb_2Se_3 亚微米管和亚微米球的生长机理第62-66页
     ·Sb_2Se_3 亚微米棒的生长机理第66-67页
   ·半导体性能第67-68页
   ·本章小结第68-69页
第四章 微波辅助合成Te 纳米管第69-80页
   ·引言第69页
   ·实验第69-71页
     ·仪器与药品第69-70页
     ·实验过程第70-71页
     ·样品的测试与表征第71页
   ·结果和讨论第71-76页
     ·不同加热温度对合成过程的影响第71-73页
     ·不同加热时间的影响第73-76页
   ·机理分析第76-77页
   ·半导体性能第77-79页
   ·本章小结第79-80页
第五章 总结与展望第80-82页
参考文献第82-92页
致谢第92-93页
攻读硕士学位期间发表(录用)论文情况第93页

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